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Dado oficial do INPI

EQUIPAMENTO E MÉTODO PARA APLICAR UMA CAMADA FINA UNIFORME DE LÍQUIDO EM SUBSTRATOS

Arquivada/ExtintaPatente de InvençãoPCT · EP2006002797

Dados do pedido

Número

PI0608389

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

28/03/2006

Publicação

29/12/2009

PCT

EP2006002797

Andamento no INPI

  1. Depósito28/03/06
  2. Publicação29/12/09
  3. Arquivado
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

Pedido arquivado por falta de pagamento das anuidades (art. 86 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 11/02/2014. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

SCHMID TECHNOLOGY SYSTEMS GMBH

DE

Inventores

C. B. (pessoa física)

DE

H. K. (pessoa física)

DE

J. B. (pessoa física)

DE

J. G. (pessoa física)

DE

Dados técnicos

Classificação IPC

Prioridades unionistas

DE

10 2005 019 686.1 · 22/04/2005

Resumo técnico

EQUIPAMENTO E METODO PARA APLICAR UMA CAMADA FINA UNIFORME DE LÍQUIDO EM SUBSTRATOS. A presente invenção refere-se a um equipamento (10) para aplicar uma camada fina uniforme de líquido, especialmente de ácido fosfórico, em células de sílicio (12) para a técnica fotovoltaica, com uma câmara de processo (14) que possuí uma bacia de líquido (16) e um dispositivo de som de alta freqUência (11) que transforma o líquido em uma névoa de líquido (15) e dotado com um equipamento de transporte (13) para as células de silício (12), disposto abaixo de um poço sob pressão (25) da câmara de processo (14) . De acordo com a presente invenção, tal equipamento (10) permite uma aplicação mais homogênea de líquido sobre as células de sílicio no que se refere tanto à superfície e à quantidade aplicada, isto pode ser alcançado pelo fato de que o poço sob pressão (25) para a névoa de líquido da câmara de processo (14) passa por um adelgaçamento do seu diâmetro livre em direção ao equipamento de transporte 13, desembocando em uma disposição de poço de passagem (40) que cobre o equipamento de transporte (13) para os substratos de sílicio (12) e que os diâmetros livres da extremidade da abertura do poço sob pressão (25) para névoa de liquido (25) e da disposição de poço de passagem (40) são mutuamente adaptados, de preferência, são essencialmente idênticos.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Arquivamento definitivo por descumprimento

#8.11

Referente ao despacho 8.6 publicado na RPI 2211 de 21/05/2013.

11/02/2014

RPI 2249

Arquivamento por falta de pagamento

#8.6

Referente á 7ª anui dade.

21/05/2013

RPI 2211

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

29/12/2009

RPI 2034

6.7

Esclareça a divergência no sobrenome do inventor Josef Gentischer (publicação internacional e documento de prioridade) e Josef Cher (petição de entrada na fase nacional).

25/03/2008

RPI 1942

Monitoramento de patentes

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