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Dado oficial do INPI

CÉLULA SOLAR DE HETEROCONTATO COM GEOMETRIA INVERTIDA DE SUAS ESTRUTURAS DE CAMADAS

ArquivadaPatente de InvençãoPCT · DE2006000670

Dados do pedido

Número

PI0607528

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

11/04/2006

Publicação

08/09/2009

PCT

DE2006000670

Andamento no INPI

  1. Depósito11/04/06
  2. Publicação08/09/09
  3. Arquivado
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

Pedido arquivado: o exame técnico não foi requerido nos 36 meses seguintes ao depósito de 11/04/2006, prazo do art. 33 da LPI. A tecnologia está em domínio público no Brasil.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 29/05/2012. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

Hahn-Meitner-Institut Berlin GMBH

AL

Inventores

F. W. (pessoa física)

AL

G. C. (pessoa física)

AL

M. K. (pessoa física)

AL

O. A. (pessoa física)

AL

Dados técnicos

Classificação IPC

Prioridades unionistas

AL

102005019225.4 · 20/04/2005

Resumo técnico

CÉLULA SOLAR DE HETEROCONTATO COM GEOMETRIA INVERTIDA DE SUAS ESTRUTURAS DE CAMADAS. O emissor amorfo da conhecida célula solar de heterocontatos é organizado no topo do dispositivo de absorção cristalino, voltado para a luz e absorve a luz incidente que, portanto não pode contribuir para a geração de condutores de (;arga, no dispositivo de absorção. A camada óxido condutora transparente (TCO), como a camada de cobertura, que tem um efeito negativo na transição pn, pode ser evitada. A célula solar de heterocontato (HKS), da invenção, tem a geometria invertida da sua estrutura de camadas e, assim, um heterocontato invertido. O emissor amorfo (EM) é organizado no fundo (LU) do dispositivo de absorção (AB) cristalino, voltado para longe da luz. O dispositivo de absorção (AB) é coberto apenas por uma camada de anti-reflexo transparente (ARS), no topo (LO), voltada para a luz, tal camada, em razão do material escolhido, é, ao mesmo tempo, a camada de passivação (PS) eletricamente efetiva, portanto evitando perdas de absorção. O tempo de recuperação de energia, com relação às exigências de material, tempo e energia pode ser reduzido por produção de baixa temperatura do emissor (EM) e a camada anti-reflexo (ARS) por processos plasma CVD, em temperatura entre 250°C e 350°C. A estrutura de contato (OKS) superior penetra a camada anti-reflexo transparente (ARS) digitadamente, a estrutura de contato (UKS) mais baixa é configurada como uma camada de metal (MS) fina, de superficie larga.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Arquivamento definitivo - Art. 33 da LPI

#11.1.1

29/05/2012

RPI 2160

Arquivamento - Art. 33 da LPI

#11.1

04/01/2011

RPI 2087

Alteração de nome indeferida

#25.5

Indeferido o pedido de Alteração de Nome, por falta de cumprimento da exigência publicado na RPI 2030 de 01/12/2009.

08/06/2010

RPI 2057

Alteração de nome em exigência

#25.6

A fim de atender ao pedido de Alteração de Nome, requerida através da Petição nº 015080004302/PR de 28/11/2008, queira apresentar a legalização consular e a tradução juramentada do documento de alteração.

01/12/2009

RPI 2030

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

08/09/2009

RPI 2018

Monitoramento de patentes

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