(11) 98705-3426
TrademarkIQ íconeTrademarkIQ
Voltar para busca
Dado oficial do INPI

PROCESSO PARA PRODUÇÃO DE PÓ DE ALUMINA ALFA VIA ALUMINA GAMA ADITIVADA APROPRIADO PARA A FABRICAÇÃO DE SUBSTRATOS CERÂMICOS USADOS NA CONSTRUÇÃO DE FOTORESISTORES (COMPONENTES LDR)

Em AnálisePatente de Invenção

Dados do pedido

Número

PI0600630

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

24/02/2006

Publicação

16/09/2008

Andamento no INPI

  1. Depósito24/02/06
  2. Publicação16/09/08
  3. Arquivado
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

Pedido arquivado pelo INPI. O processo foi encerrado sem chegar a patente e a tecnologia está em domínio público no Brasil.

Falar com um especialista

Última movimentação publicada pelo INPI: 16/09/2008. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

C. N. (pessoa física)

RJ, BR

Ver toda a carteira desta empresa

Inventores

A. S. (pessoa física)

BR

L. S. (pessoa física)

BR

S. M. (pessoa física)

BR

Dados técnicos

Classificação IPC

Resumo técnico

PROCESSO PARA PRODUÇÃO DE PÓ DE ALUMINA ALFA VIA ALUMINA GAMA ADITIVADA APROPRIADO PARA A FABRICAÇÃO DE SUBSTRATOS CERÂMICOS USADOS NA CONSTRUÇÃO DE FOTORESISTORES (COMPONENTES LDR). A presente invenção diz respeito a um processo de produção de pó de alumina alfa via alumina gama aditivada. Este processo envolve: fusão alcalina de uma fonte comercial e barata de alumina hidratada; obtenção de uma solução de aluminato - silicato de sódio; neutralização com HNO~ 3~; envelhecimento; lavagem; secagem; moagem; calcinação (600 °C); peptização; adsorção de Ca e/ou Mg e/ou Zr; secagem; e calcinação (600 °C e 1000 °C). Pós obtidos com 90,40% de A1~ 2~O~ 3~, 6,70% de SiO~ 2~, 1,75% de CaO, 1,07% de ZrO~ 2~, ?0,03% de MgO, 0,04% de Fe~ 2~O~ 3~ e 0,03% de Na~ 2~O; com 95,13% de A1~ 2~0~ 3~, 2,07% de SiO~ 2~, 1,70% de CaO, 1,03% de ZrO~ 2~, ?0,03% de MgO, 0,04% de Fe~ 2~O~ 3~ e 0,03% de Na~ 2~O; e com 99,80% de A1~ 2~O~ 3~, ?0,06% de SiO~ 2~, ?0,03% de CaO, ?0,01% de ZrO~ 2~, ?0,02% de MgO, 0,03% de Fe~ 2~O~ 3~ e 0,04% de Na~ 2~O sinterizam a altas densidades, respectivamente, a 1450 °C/4 horas, 1550 °C/4 horas e ??1625 °C/4 horas. Campo de aplicação: - material abrasivo; -fabricação de suportes de catalisadores empregados na conversão de gases automotivos; e - conformação de corpos cerâmicos de alta densidade, do tipo substratos cerâmicos para construção de fotoresistores (componentes LDR), os quais têm grande aplicação na indústria optoeletrônica.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Publicação do pedido arquivado definitivamente

#3.6

16/09/2008

RPI 1967

Arquivamento do pedido - Art. 216 §2° da LPI

#11.6

08/07/2008

RPI 1957

6.7

Baseado no artigo 216 § 1° da LPI, apresente cópia autenticada da procuração para que esta seja aceita.

20/11/2007

RPI 1924

Pedido de patente depositado

#2.1

02/05/2006

RPI 1843

Monitoramento de patentes

Acompanhe esta patente em tempo real.

Receba alertas de despachos, decisões e vencimentos do INPI para o seu portfólio.