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Dado oficial do INPI

TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO

Concessão AnuladaPatente de InvençãoPCT · JP2005020982 Documento oficial disponível

Dados do pedido

Número

PI0517560

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

09/11/2005

Publicação

14/10/2008

PCT

JP2005020982

Carta-patente disponível

Temos o documento oficial completo deste processo, publicado pelo INPI.

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Andamento no INPI

  1. Depósito09/11/05
  2. Publicação14/10/08
  3. Exame
  4. Deferimento22/08/17
  5. Concessão12/12/17
  6. Em vigor09/11/25

Patente concedida em 12/12/2017 e em vigor até 09/11/2025. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.

Proteção válida até:09/11/2025

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Última movimentação publicada pelo INPI: 11/12/2018. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

C. K. (pessoa física)

JP

Tokyo Institute of Technology

JP

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Inventores

H. H. (pessoa física)

JP

K. N. (pessoa física)

JP

K. N. (pessoa física)

JP

M. S. (pessoa física)

JP

T. K. (pessoa física)

JP

Dados técnicos

Classificação IPC

Prioridades unionistas

JP

2004-326683 · 10/11/2004

Resumo técnico

TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO. É provido um transistor de efeito de campo inédito que emprega um óxido amorfo. Em uma modalidade da presente invenção, o transistor compreende uma camada de óxido amorfo que contém portador de elétrons a uma concentração menor que 1 ~ 10^ -18^/cm³, e a camada isolante de porta compreende uma primeira camada que fica em contato com o óxido amorfo e uma segunda camada diferente da primeira camada.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

16.3

REFERENTE A RPI 2449 DE 12/12/2017, QUANTO AO ENDEREÇO DO TITULAR.

11/12/2018

RPI 2501

Concessão da patente

#16.1

12/12/2017

RPI 2449

Deferimento

#9.1

22/08/2017

RPI 2433

Conhecimento de parecer técnico

#7.1

18/04/2017

RPI 2415

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

14/10/2008

RPI 1971

Monitoramento de patentes

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