16.3
REFERENTE A RPI 2449 DE 12/12/2017, QUANTO AO ENDEREÇO DO TITULAR.
11/12/2018
RPI 2501
Dados do pedido
Número
PI0517560Tipo
Depósito
Publicação
PCT
JP2005020982 Carta-patente disponível
Temos o documento oficial completo deste processo, publicado pelo INPI.
Acessar documentoPatente concedida em 12/12/2017 e em vigor até 09/11/2025. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:09/11/2025
Última movimentação publicada pelo INPI: 11/12/2018. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
C. K. (pessoa física)
JP
Tokyo Institute of Technology
JP
Inventores
H. H. (pessoa física)
JP
K. N. (pessoa física)
JP
K. N. (pessoa física)
JP
M. S. (pessoa física)
JP
T. K. (pessoa física)
JP
Classificação IPC
Prioridades unionistas
JP
2004-326683 · 10/11/2004
Resumo técnico
TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO. É provido um transistor de efeito de campo inédito que emprega um óxido amorfo. Em uma modalidade da presente invenção, o transistor compreende uma camada de óxido amorfo que contém portador de elétrons a uma concentração menor que 1 ~ 10^ -18^/cm³, e a camada isolante de porta compreende uma primeira camada que fica em contato com o óxido amorfo e uma segunda camada diferente da primeira camada.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
REFERENTE A RPI 2449 DE 12/12/2017, QUANTO AO ENDEREÇO DO TITULAR.
11/12/2018
RPI 2501
#16.1
12/12/2017
RPI 2449
#9.1
22/08/2017
RPI 2433
#7.1
18/04/2017
RPI 2415
#1.3
14/10/2008
RPI 1971
Monitoramento de patentes
Receba alertas de despachos, decisões e vencimentos do INPI para o seu portfólio.