Dado oficial do INPI

MÉTODO PARA FABRICAR UM SENSOR DE IMAGEM, E, SENSOR DE IMAGEM

ArquivadaPatente de InvençãoPCT · IB2005051560

Falar com especialista

Dados do pedido

Número

PI0511880

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

12/05/2005

Publicação

15/01/2008

PCT

IB2005051560

Ver no INPI

Andamento no INPI

Depósito12/05/05
Publicação15/01/08
Arquivado
Deferimento
Concessão
Em vigor

Pedido arquivado: o exame técnico não foi requerido nos 36 meses seguintes ao depósito de 12/05/2005, prazo do art. 33 da LPI. A tecnologia está em domínio público no Brasil.

Falar com um especialista

Última movimentação publicada pelo INPI: 21/09/2010. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

K. V. (pessoa física)

Ver toda a carteira desta empresa

Inventores

D. V. (pessoa física)

E. G. (pessoa física)

G. R. (pessoa física)

J. M. (pessoa física)

L. B. (pessoa física)

N. V. (pessoa física)

Dados técnicos

Classificação IPC

H01L 27/146 H01L 31/0232

Prioridades unionistas

04102618.8 · 09/06/2004

04105544.3 · 05/11/2004

Resumo técnico

MÉTODO PARA FABRICAR UM SENSOR DE IMAGEM, E, SENSOR DE IMAGEM A invenção é relativa a um método para fabricar um sensor de imagem iluminado pelo lado de trás (14), que compreende as etapas de: começando com uma pastilha (2) que tem uma primeira (3) e uma segunda (4) superficies, fornecer regiões de pixel sensíveis à luz (5) que se estendem na pastilha (2) a partir da primeira superfície (3), prender a pastilha (2) sobre um substrato protetor (7) de tal modo que a primeira superfície (3) faceia o substrato protetor, a pastilha compreendendo um substrato de um primeiro material (8) com uma camada ótica transparente (9) e uma camada de material semicondutor (10) na qual o substrato (8) é removido de maneira seletiva da camada de material semicondutor utilizando a camada transparente ótica (9) como camada de interrupção. Para sensores de imagem iluminados pelo lado de trás, luz deve transmitir através da camada semicondutora e penetrar nas regiões de pixel sensíveis à luz (5). Para reduzir perdas de absorção é muito vantajoso que a camada de semicondutor (10) possa é feita relativamente fina com uma boa uniformidade. Devido à espessura reduzida da camada de semicondutor, mais luz pode penetrar nas regiões sensíveis à luz, resultando em um rendimento melhorado do sensor de imagem.