CÉLULA SOLAR COM MATERIAL DE PONTO QUÂNTICO EPITAXIALMENTE CRESCIDO

Classificação IPC

Prioridades unionistas

Resumo técnico

"CÉLULA SOLAR COM MATERIAL DE PONTO QUÂNTICO EPITAXIALMENTE CRESCIDO". Onde em um primeiro aspecto, a presente invenção fornece uma célula solar monolítica semicondutora multijunção compreendendo diversas subcélulas dispostas em série, as diversas subcélulas tendo pelo menos uma subcélula incluindo um material de ponto quântico autoformado com crescimento epitaxial. Numa incorporação adicional, é fornecida uma célula solar fotovoltaica monolítica semicondutora compreendendo: um substrato de Si; uma camada de transição metamorficamente crescida no substrato de Si, a camada de transição incluindo diversas camadas de GaAs e AlGaAs; e uma primeira subcélula epitaxialmente crescida na camada de transição, a primeira subcélula incluindo um material de ponto quântico autoformado. Em um aspecto adicional, a presente invenção fornece uma célula solar fotovoltaica monolítica semicondutora compreendendo: um substrato de InP; uma primeira subcélula epitaxialmente crescida no substrato, a primeira subcélula incluindo diversas camadas de pontos quânticos de InAs intercaladas com camadas de InGaAs. Em um outro aspecto adicional, a presente invenção fornece o método de fabricação de uma célula solar fotovoltaica monolítica multijunção em um substrato, o método compreendendo a etapa de: formação de subcélula de ponto quântico pelo crescimento epitaxial de um material de ponto quântico autoformado com diversas camadas de ponto quântico intercaladas com barreiras.