Carta-patente expirada
#21.1
PATENTE EXTINTA EM 23/09/2024
18/02/2025
RPI 2824
Dados do pedido
Número
PI0417807Tipo
Depósito
Publicação
PCT
NO2004000003 Carta-patente expirada em 18/02/2025: o prazo de proteção chegou ao fim. A tecnologia está em domínio público e pode ser explorada livremente no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 18/02/2025. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
E. A. (pessoa física)
NO
R. A. (pessoa física)
NO
Inventores
C. D. (pessoa física)
DE
C. Z. (pessoa física)
NO
E. E. (pessoa física)
NO
K. F. (pessoa física)
NO
R. T. (pessoa física)
NO
Classificação IPC
Prioridades unionistas
NO
20035830 · 29/12/2003
Resumo técnico
"MATERIAL DE ALIMENTAÇÃO DE SILÍCIO PARA PRODUZIR LINGOTES DE SILÍCIO MULTICRISTALINOS OU ZONA FLUTUANTE, SOLIDIFICADOS DIRECIONALMENTE POR CZOCHRALSKI LÂMINAS OU FITAS DE SILÍCIO PARA A PRODUÇÃO DE PASTILHAS DE SILÍCIO PARA CÉLULAS SOLARES PV E MÉTODO PARA A PRODUÇÃO DO MESMO, E, LINGOTE DE SILÍCIO MULTICRISTALINO OU ZONA FLUTUANTE DIRECIONALMENTE SOLIDIFICADO POR CZOCHRALSKI, OU LÂMINA OU FITA DE SILÍCIO PARA PRODUZIR PASTILHAS PARA CÉLULAS SOLARES". A presente invenção está relacionada a material de alimentação de silício para produzir lingotes de silício multicristalinos ou zona flutuante, lâminas ou fitas de silício, para produção de pastilhas de silício para células solares PV onde o material de alimentação de silício contém entre 0,2 e 10 ppma de boro e entre 0,1 e 10 ppma de fósforo distribuídos no material de alimentação. A invenção está relacionada também o lingote de silício direcionalmente solidificado, ou lâmina ou fita, para produzir pastilhas para células solares contendo entre 0,2 e 10 ppma de boro e entre 0,1 e 1O ppma de fósforo distribuídos no lingote, o dito lingote de silício possuindo uma mudança de tipo de tipo-p para tipo-n, ou de tipo-n para tipo-p, em uma posição entre 40 e 99 % da altura do lingote ou da espessura da folha ou da fita, e possuindo um perfil de resistividade descrito por uma curva exponencial que possui um valor de partida entre 0,4 e 10 ohm cm, e onde o valor da resistividade aumenta no sentido do ponto de mudança de tipo. Para finalizar, a invenção está relacionada a um método para produzir material de alimentação de silício para produção de lingotes solidificados direcionalmente de silício, lâminas e fitas, para produção de pastilhas de silício para células solares PV.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#21.1
PATENTE EXTINTA EM 23/09/2024
18/02/2025
RPI 2824
#25.1
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RPI 2494
#16.1
23/09/2014
RPI 2281
#9.1
01/07/2014
RPI 2269
#6.1
11/03/2014
RPI 2253
#1.3
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