(11) 98705-3426
TrademarkIQ íconeTrademarkIQ
Voltar para busca
Dado oficial do INPI

MEDIDOR DE JUNÇÕES SEMICONDUTORAS PORTÁTIL

Arquivada/ExtintaPatente de Invenção

Dados do pedido

Número

PI0402165

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

21/05/2004

Publicação

03/01/2006

Andamento no INPI

  1. Depósito21/05/04
  2. Publicação03/01/06
  3. Arquivado
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

Pedido arquivado por falta de pagamento das anuidades (art. 86 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.

Falar com um especialista

Última movimentação publicada pelo INPI: 15/01/2013. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

J. T. (pessoa física)

PR, BR

Inventores

J. T. (pessoa física)

BR

Dados técnicos

Classificação IPC

Resumo técnico

"MEDIDOR DE JUNÇÕES SEMICONDUTORAS PORTÁTIL". A presente invenção refere-se a um dispositivo eletrônico portátil de baixo consumo operado por baterias capaz de medir tensões diretas e reversas de junções semicondutoras para fins de reconhecimento ou avaliação do estado de componentes semicondutores diversos. Este dispositivo permite que diversos dispositivos semicondutores utilizados na indústria e oficinas de manutenção de produtos eletrônicos possam ser facilmente testados ou até mesmo identificados quanto à natureza elétrica dos mesmos sem a necessidade de se adquirir os caros e complexos sistemas convencionais de medição de junções de bancada, uma vez que os multímetros convencionais disponíveis no mercado, de baixo custo, normalmente apresentam apenas um sistema rudimentar de medição de junções, cobrindo apenas as medidas de polarização direta de baixa tensão. O princípio de funcionamento desta invenção está baseado na utilização de um sistema eletrônico elevador de tensão, o qual, através de um oscilador acoplado a um mini-conversor chaveado eleva a tensão nominal de uma bateria de poucos volts para diversas dezenas de volts. Essa tensão é aplicada a um voltímetro permitindo a medição de tensões reversas de junções semicondutoras que ultrapassem dezenas de volts como diodos Zener, Diacs, diodos de silício, germânio ou shottky, VCEO de transistores, etc.. Esta invenção pode ser acoplada a um voltímetro convencional ou incorporada ao projeto de um multímetro tornando-o mais sofisticado, dispensando neste caso o uso deste dispositivo como acessório.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Arquivamento definitivo por descumprimento

#8.11

Referente ao despacho 8.6 publicado na RPI 2160 de 29/05/2012.

15/01/2013

RPI 2193

Arquivamento por falta de pagamento

#8.6

Referente às 4ª, 5ª, 6ª, 7ª e 8ª anuidades.

29/05/2012

RPI 2160

Publicação do pedido de patente

#3.1

03/01/2006

RPI 1826

Pedido de patente depositado

#2.1

19/10/2004

RPI 1763

Monitoramento de patentes

Acompanhe esta patente em tempo real.

Receba alertas de despachos, decisões e vencimentos do INPI para o seu portfólio.