Arquivamento definitivo por descumprimento
#8.11
Referente ao despacho 8.6 publicado na RPI 2160 de 29/05/2012.
30/10/2012
RPI 2182
Dados do pedido
Número
PI0401114Tipo
Depósito
Publicação
Pedido arquivado por falta de pagamento das anuidades (art. 86 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 30/10/2012. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
C. M. (pessoa física)
SP, BR
Inventores
A. O. (pessoa física)
BR
A. P. (pessoa física)
BR
S. T. (pessoa física)
BR
Classificação IPC
Resumo técnico
"PROCESSOS PARA A PRODUÇÃO DE PENTÓXIDO E DE MONÓXIDO DE NIÓBIO EM PÓ CONTENDO UMA QUANTIDADE CONTROLADA DE VANÁDIO, PENTÓXIDO E MONÓXIDO DE NIÓBIO EM PÓ CONTENDO UMA QUANTIDADE CONTROLADA DE VANÁDIO E CAPACITOR MANUFATURADO COM MONÓXIDO DE NIÓBIO EM PÓ". A presente invenção refere-se aos processos de produção de óxidos de nióbio (pentóxido - Nb~ 2~0~ 5~, dióxido - NbO~ 2~ e monóxido - NbO) de elevada pureza, elevada superfície específica, adequada porosidade e morfologia apropriada contendo uma quantidade controlada de vanádio (V). O pentóxido de nióbio contendo uma quantidade controlada de V pode ser obtido por co-precipitação, impregnação, deposição ou mistura. Este óxido de nióbio pode ser posteriormente reduzido a monóxido de nióbio (NbO) contendo uma quantidade controlada de vanádio. Esta redução pode ser feita em uma única etapa ou em duas etapas de redução. No primeiro caso, o Nb~ 2~0~ 5~ contendo vanádio é reduzido diretamente a NbO, utilizando-se como redutores o hidrogênio (H~ 2~) e um metal reativo. No segundo caso, o Nb~ 2~0~ 5~ contendo uma quantidade controlada de vanádio é reduzido a dióxido de nióbio (NbO~ 2~) com um gás redutor, que posteriormente é reduzido a NbO, através do uso de um metal reativo em atmosfera de H~ 2~. As partículas primárias de NbO contendo uma quantidade controlada de vanádio, produzidas pelo presente processo, são de tamanho controlado, têm elevada área superficial, porosidade e morfologia apropriada para a produção de capacitores com alta capacitância e baixa corrente de fuga.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#8.11
Referente ao despacho 8.6 publicado na RPI 2160 de 29/05/2012.
30/10/2012
RPI 2182
#8.6
Referente às 6ª, 7ª e 8ª anuidades.
29/05/2012
RPI 2160
#3.1
22/11/2005
RPI 1820
#2.1
13/07/2004
RPI 1749
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