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Dado oficial do INPI

Circuito conversor para comutar um grande número de níveis de tensão de comutação

Em AnálisePatente de InvençãoPCT · CH2003000768

Dados do pedido

Número

PI0318551

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

20/11/2003

Publicação

10/10/2006

PCT

CH2003000768

Andamento no INPI

  1. Depósito20/11/03
  2. Publicação10/10/06
  3. Exame
  4. Deferimento05/01/16
  5. Concessão02/02/16
  6. Em vigor20/11/23

Patente concedida em 02/02/2016 e em vigor até 20/11/2023. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.

Proteção válida até:20/11/2023

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Depositantes e inventores

Depositantes

ABB RESEARCH LTD

CH

ABB SCHWEIZ AG

CH

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Inventores

J. S. (pessoa física)

DE

L. M. (pessoa física)

FR

P. B. (pessoa física)

CH

P. S. (pessoa física)

CH

T. M. (pessoa física)

FR

Dados técnicos

Classificação IPC

Prioridades unionistas

EP

03 405748.9 · 17/10/2003

Resumo técnico

"CIRCUITO CONVERSOR PARA COMUTAR UM GRANDE NÚMERO DE NÍVEIS DE TENSÃO DE COMUTAÇÃO". Um circuito conversor é especificado para comutar um grande número de níveis de tensão de comutação, que apresenta n primeiros grupos de comutação (1.1, .... 1.n) para cada fase (R, Y, B), com o n^ ésimo^ primeiro grupo de comutação (1.n) sendo formado por um primeiro comutador semicondutor de força (2) e um segundo comutador semicondutor de força (3), e com o primeiro primeiro grupo de comutação (1.1) até o (n-1)^ ésimo^ grupo de comutação (1.(n-1)) sendo formados, cada qual, por um primeiro comutador semicondutor de força (2) e um segundo comutador semicondutor de força (3) e por um capacitor (4) que é conectado aos primeiro e segundo comutadores semicondutores de força (2, 3), com cada dos n primeiros grupos de comutação (1.1, .... 1.n) sendo conectado em série ao primeiro grupo de comutação respectivamente adjacente (1.1, .... 1.n), e com os primeiro e segundo comutadores semicondutores de força (2, 3) no primeiro primeiro grupo de comutação (1.1) sendo conectados entre si. A fim de reduzir a quantidade de energia elétrica armazenada no circuito conversor, n 1 e p segundos grupo de comutação (5.1, .., 5.p) e p terceiros grupos de comutação (6.1, ... 6.p) são providos, os quais são formados, cada qual, por um primeiro comutador semicondutor de força (2) e um segundo comutador semicondutor de força (3) e por um capacitor (4) que é conectado aos primeiro e segundo comutadores semicondutores de força (2, 3), onde p 1 e cada dos p segundos grupos de comutação (5.1, .... 5.p) é conectado em série com o segundo grupo de comutação respectivamente adjacente (5.1, .... 5.p), e cada dos p terceiros grupos de comutação (6.1, .... 6.p) é conectado em série com o terceiro grupo de comutação respectivamente adjacente (6.1, .... 6.p), e o primeiro segundo grupo de comutação (5.1) é conectado ao primeiro comutador semicondutor de força (2) no n^ ésimo^ primeiro grupo de comutação (1.n), e o primeiro terceiro grupo de comutação (6.1) é conectado ao segundo comutador semicondutor de força (3) no n^ ésimo^ primeiro grupo de comutação (1.n). Além disso, o capacitor (4) no p^ ésimo^ segundo grupo de comutação (5.p) é conectado em série com o capacitor (4) no p^ ésimo^ terceiro grupo de comutação (6.p).

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Alteração de sede deferida

#25.7

11/08/2020

RPI 2588

Transferência deferida

#25.1

21/07/2020

RPI 2585

Alteração de sede deferida

#25.7

30/06/2020

RPI 2582

Concessão da patente

#16.1

02/02/2016

RPI 2352

Deferimento

#9.1

05/01/2016

RPI 2348

Exigência - art. 36 da LPI

#6.1

01/09/2015

RPI 2330

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

10/10/2006

RPI 1866

Monitoramento de patentes

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