Alteração de sede deferida
#25.7
11/08/2020
RPI 2588
Dados do pedido
Número
PI0318551Tipo
Depósito
Publicação
PCT
CH2003000768 Patente concedida em 02/02/2016 e em vigor até 20/11/2023. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:20/11/2023
Última movimentação publicada pelo INPI: 11/08/2020. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
ABB RESEARCH LTD
CH
ABB SCHWEIZ AG
CH
Inventores
J. S. (pessoa física)
DE
L. M. (pessoa física)
FR
P. B. (pessoa física)
CH
P. S. (pessoa física)
CH
T. M. (pessoa física)
FR
Classificação IPC
Prioridades unionistas
EP
03 405748.9 · 17/10/2003
Resumo técnico
"CIRCUITO CONVERSOR PARA COMUTAR UM GRANDE NÚMERO DE NÍVEIS DE TENSÃO DE COMUTAÇÃO". Um circuito conversor é especificado para comutar um grande número de níveis de tensão de comutação, que apresenta n primeiros grupos de comutação (1.1, .... 1.n) para cada fase (R, Y, B), com o n^ ésimo^ primeiro grupo de comutação (1.n) sendo formado por um primeiro comutador semicondutor de força (2) e um segundo comutador semicondutor de força (3), e com o primeiro primeiro grupo de comutação (1.1) até o (n-1)^ ésimo^ grupo de comutação (1.(n-1)) sendo formados, cada qual, por um primeiro comutador semicondutor de força (2) e um segundo comutador semicondutor de força (3) e por um capacitor (4) que é conectado aos primeiro e segundo comutadores semicondutores de força (2, 3), com cada dos n primeiros grupos de comutação (1.1, .... 1.n) sendo conectado em série ao primeiro grupo de comutação respectivamente adjacente (1.1, .... 1.n), e com os primeiro e segundo comutadores semicondutores de força (2, 3) no primeiro primeiro grupo de comutação (1.1) sendo conectados entre si. A fim de reduzir a quantidade de energia elétrica armazenada no circuito conversor, n 1 e p segundos grupo de comutação (5.1, .., 5.p) e p terceiros grupos de comutação (6.1, ... 6.p) são providos, os quais são formados, cada qual, por um primeiro comutador semicondutor de força (2) e um segundo comutador semicondutor de força (3) e por um capacitor (4) que é conectado aos primeiro e segundo comutadores semicondutores de força (2, 3), onde p 1 e cada dos p segundos grupos de comutação (5.1, .... 5.p) é conectado em série com o segundo grupo de comutação respectivamente adjacente (5.1, .... 5.p), e cada dos p terceiros grupos de comutação (6.1, .... 6.p) é conectado em série com o terceiro grupo de comutação respectivamente adjacente (6.1, .... 6.p), e o primeiro segundo grupo de comutação (5.1) é conectado ao primeiro comutador semicondutor de força (2) no n^ ésimo^ primeiro grupo de comutação (1.n), e o primeiro terceiro grupo de comutação (6.1) é conectado ao segundo comutador semicondutor de força (3) no n^ ésimo^ primeiro grupo de comutação (1.n). Além disso, o capacitor (4) no p^ ésimo^ segundo grupo de comutação (5.p) é conectado em série com o capacitor (4) no p^ ésimo^ terceiro grupo de comutação (6.p).
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#25.7
11/08/2020
RPI 2588
#25.1
21/07/2020
RPI 2585
#25.7
30/06/2020
RPI 2582
#16.1
02/02/2016
RPI 2352
#9.1
05/01/2016
RPI 2348
#6.1
01/09/2015
RPI 2330
#1.3
10/10/2006
RPI 1866
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