Arquivamento definitivo por descumprimento
#8.11
Referente ao despacho 8.6 publicado na RPI 2144 de 07/02/2012.
02/10/2012
RPI 2178
Dados do pedido
Número
PI0317639Tipo
Depósito
Publicação
PCT
US2003040796 Pedido arquivado por falta de pagamento das anuidades (art. 86 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 02/10/2012. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
Praxair Technology, Inc.
US
Inventores
J. L. (pessoa física)
US
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
10/329,440 · 27/12/2002
Resumo técnico
"MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE UM CONDUTOR IÔNICO PARA MELHORAR A CONDUTIVIDADE DE ÍON DE OXIGÊNIO". Método de fabricação de um condutor iônico para melhorar a condutividade de íon de oxigênio que é de outra maneira reduzida pela presença de impurezas prejudiciais que compreendem silício ou compostos que contêm silicio. De acordo com a invenção um sal dissolvido de um dopante que consiste de um metal alcalino-terroso é aplicado a um material condutor de íon de oxigênio composto de céria dopada, de zircônia dopada ou de galato de lantânio dopado e que tem as impurezas. A solução pode também ser aplicada com igual sucesso a sais e óxidos catiônicos usados na obtenção do material condutor de íon de oxigênio. O material condutor de íon de oxigênio com a solução ali aplicada é misturado muito bem e então aquecido para evaporar o solvente e para decompor os sais alcalino-terrosos e assim formar o dito condutor iônico.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#8.11
Referente ao despacho 8.6 publicado na RPI 2144 de 07/02/2012.
02/10/2012
RPI 2178
#8.6
Referente à 8ª Anuidade(s).
07/02/2012
RPI 2144
#1.3
20/12/2005
RPI 1824
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