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Dado oficial do INPI

MÉTODO DE PREPARAÇÃO DE UMA PELÍCULA DE BARREIRA COMPÓSITA; MÉTODO DE FORMAÇÃO DE UMA PELÍCULA DE BARREIRA COMPÓSITA E PELÍCULA DE BARREIRA COMPÓSITA

ArquivadaPatente de InvençãoPCT · US2003038998

Dados do pedido

Número

PI0317040

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

09/12/2003

Publicação

25/10/2005

PCT

US2003038998

Andamento no INPI

  1. Depósito09/12/03
  2. Publicação25/10/05
  3. Arquivado
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

Pedido arquivado: o exame técnico não foi requerido nos 36 meses seguintes ao depósito de 09/12/2003, prazo do art. 33 da LPI. A tecnologia está em domínio público no Brasil.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 11/12/2007. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

A. C. (pessoa física)

US

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Inventores

A. M. (pessoa física)

US

J. A. (pessoa física)

US

R. H. (pessoa física)

US

X. H. (pessoa física)

US

Dados técnicos

Prioridades unionistas

US

10/325,575 · 20/12/2002

Resumo técnico

"MÉTODO DE PREPARAÇÃO DE LIMA PELÍCULA DE BARREIRA COMPÓSITA; MÉTODO DE FORMAÇÃO DE UMA PELÍCULA DE BARREIRA COMPÓSITA; E PELÍCULA DE BARREIRA COMPÓSITA". Trata-se de uma invenção que, em uma modalidade, refere-se a películas compósitas que possuem propriedades de barreira e, mais particularmente, a películas compósitas, que compreendem um revestimento à base de nitreto de silício sob um substrato de plástico flexível, em que o revestimento à base de nitreto de silício possui uma espessura menor do que cerca de 220 nm e é depositado sobre o substrato plástico, efetuando-se o borrifamento de um alvo de silício em um atmosfera que compreende ao menos 75% em volume de nitrogênio. A película de barreira compósita possui uma transmitância de luz visível de ao menos cerca de 75%. Em outra modalidade, a invenção se refere a um método de barreira de depósito de revestimento à base de nitreto de silício sobre um substrato de plástico para formar uma película de barreira compósita, que compreende um revestimento à base de nitreto de silício, efetuando-se o borrifamento de um alvo de silício em uma atmosfera que compreende pelo menos cerca de 75% por volume de nitrogênio.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Arquivamento definitivo - Art. 33 da LPI

#11.1.1

11/12/2007

RPI 1927

Arquivamento - Art. 33 da LPI

#11.1

04/09/2007

RPI 1913

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

25/10/2005

RPI 1816

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