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Dado oficial do INPI

PROCESSO DE FABRICAÇÃO DE CAMADAS DE SILÍCIO POROSO POR EXPOSIÇÃO A VAPORES CORROSIVOS DO SILÍCIO

ArquivadaPatente de Invenção

Dados do pedido

Número

PI0307130

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

10/09/2003

Publicação

24/05/2005

Andamento no INPI

  1. Depósito10/09/03
  2. Publicação24/05/05
  3. Arquivado
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

Pedido arquivado: o exame técnico não foi requerido nos 36 meses seguintes ao depósito de 10/09/2003, prazo do art. 33 da LPI. A tecnologia está em domínio público no Brasil.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 04/12/2007. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

B. S. (pessoa física)

PE, BR

E. V. (pessoa física)

PE, BR

E. J. (pessoa física)

PE, BR

W. A. (pessoa física)

PE, BR

Inventores

B. S. (pessoa física)

BR

E. V. (pessoa física)

BR

E. J. (pessoa física)

BR

W. A. (pessoa física)

BR

Dados técnicos

Classificação IPC

Resumo técnico

"PROCESSO DE FABRICAÇÃO DE CAMADAS DE SILÍCIO POROSO POR EXPOSIÇÃO A VAPORES CORROSIVOS DO SILÍCIO". A presente invenção refere-se à produção de nanocristais de Si por meio da formação de camadas de silício poroso. O método aqui proposto envolve a utilização de um béquer contendo uma solução de quatro partes de HF e uma parte de HNO3, sobre o qual fica exposto o substrato de silício. Quando são colocados pedaços de Si na solução, gera-se o vapor que origina a camada de Si poroso (fig.1). Tal método proporciona camadas com luminescência na chamada banda S (vermelho-alaranjado) (fig.2) com excelente uniformidade e reprodutibilidade (fig.3).

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Arquivamento definitivo - Art. 33 da LPI

#11.1.1

04/12/2007

RPI 1926

Arquivamento - Art. 33 da LPI

#11.1

15/05/2007

RPI 1897

Publicação do pedido de patente

#3.1

24/05/2005

RPI 1794

Pedido de patente depositado

#2.1

19/10/2004

RPI 1763

Monitoramento de patentes

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