Arquivamento definitivo - Art. 33 da LPI
#11.1.1
04/12/2007
RPI 1926
Dados do pedido
Número
PI0307130Tipo
Depósito
Publicação
Pedido arquivado: o exame técnico não foi requerido nos 36 meses seguintes ao depósito de 10/09/2003, prazo do art. 33 da LPI. A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 04/12/2007. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
B. S. (pessoa física)
PE, BR
E. V. (pessoa física)
PE, BR
E. J. (pessoa física)
PE, BR
W. A. (pessoa física)
PE, BR
Inventores
B. S. (pessoa física)
BR
E. V. (pessoa física)
BR
E. J. (pessoa física)
BR
W. A. (pessoa física)
BR
Classificação IPC
Resumo técnico
"PROCESSO DE FABRICAÇÃO DE CAMADAS DE SILÍCIO POROSO POR EXPOSIÇÃO A VAPORES CORROSIVOS DO SILÍCIO". A presente invenção refere-se à produção de nanocristais de Si por meio da formação de camadas de silício poroso. O método aqui proposto envolve a utilização de um béquer contendo uma solução de quatro partes de HF e uma parte de HNO3, sobre o qual fica exposto o substrato de silício. Quando são colocados pedaços de Si na solução, gera-se o vapor que origina a camada de Si poroso (fig.1). Tal método proporciona camadas com luminescência na chamada banda S (vermelho-alaranjado) (fig.2) com excelente uniformidade e reprodutibilidade (fig.3).
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
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04/12/2007
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