MÉTODO PARA FORMAÇÃO DE UM CONTATO DE BAIXA RESISTÊNCIA ENTRE UM MATERIAL METÁLICO E UM MATERIAL ORGÂNICO DE UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR ORGÂNICO E MÉTODO PARA CRIAÇÃO DE UM TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE PORTA ISOLADA DE ALTO DESEMPENHO

Classificação IPC

Prioridades unionistas

Resumo técnico

"MÉTODO PARA FORMAÇÃO DE UM CONTATO DE BAIXA RESISTÊNCIA ENTRE UM MATERIAL METÁLICO E UM MATERIAL ORGÂNICO DE UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR ORGÂNICO E MÉTODO PARA CRIAÇÃO DE UM TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE PORTA ISOLADA DE ALTO DESEMPENHO". Um processo de recozimento térmico em alta temperatura cria um contato de baixa resistência entre um material metálico e um material orgânico de um dispositivo semicondutor orgânico, o que aperfeiçoa a eficiência de injeção de portadores. O processo forma contatos ohmicos e contatos Schottky. Adicionalmente, o processo pode causar migração ou difusão de átomos ou ions de metal para o interior do material orgânico, pode fazer o material orgânico cristalizar-se, ou ambos. O resultante dispositivo semicondutor orgânico possui características operacionais aperfeiçoadas tal como velocidades de operação mais rápidas. Ao invés de utilizar calor, o processo pode utilizar outras formas de energia, tais como voltagem, corrente energia de radiação eletromagnética para aquecimento localizado, energia de infravermelhos e energia de ultravioletas. São descritos um diodo orgânico aperfeiçoado exemplar compreendendo alumínio, carbono C~ 60~, e cobre, bem como exemplos de transistores de efeito de campo de porta isolada.