Arquivamento definitivo por descumprimento
#8.11
Referente ao despacho 8.6 publicado na RPI 2224 de 20/08/2013.
18/02/2014
RPI 2250
Dados do pedido
Número
PI0208601Tipo
Depósito
Publicação
PCT
NL2002000244 Pedido arquivado por falta de pagamento das anuidades (art. 86 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 18/02/2014. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
T. E. (pessoa física)
NL
Inventores
A. S. (pessoa física)
NL
D. S. (pessoa física)
NL
E. H. (pessoa física)
NL
M. S. (pessoa física)
NL
Classificação IPC
Prioridades unionistas
NL
1017849 · 16/04/2001
Resumo técnico
"PROCESSO E DISPOSITIVO PARA DEPOSITAR UMA CAMADA DE SILÍCIO, PELO MENOS PARCIALMENTE CRISTALINA, EM UM SUBSTRATO". Em um processo e dispositivo para depositar uma camada de silício, pelo menos parcialmente cristalina, é gerado um plasma e um substrato (24) é exposto, sob a influência do plasma, a um fluido fonte contendo silício, para deposição nele de silicio. Uma queda de pressão é aplicada entre um local (12), onde o fluido fonte é suprido, e o substrato (24). Além do fluido fonte, um fluido auxiliar é também injetado, que é capaz de atacar os átomos de silício não-cristalinos. O substrato (24) é exposto tanto ao fluido fonte como ao fluido auxiliar.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#8.11
Referente ao despacho 8.6 publicado na RPI 2224 de 20/08/2013.
18/02/2014
RPI 2250
#8.6
Referente à 11ª anuidade
20/08/2013
RPI 2224
#6.1
29/03/2011
RPI 2099
#6.1
27/07/2010
RPI 2064
#7.1
05/01/2010
RPI 2035
#1.3
23/03/2004
RPI 1733
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