Dados do pedido
Número
PI0207606Tipo
Depósito
Publicação
Patente concedida em 09/07/2013 e depois extinta em 04/05/2021. A proteção terminou antes do prazo e a tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 04/05/2021. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
X. C. (pessoa física)
US
Inventores
C. W. (pessoa física)
US
M. K. (pessoa física)
US
P. K. (pessoa física)
DE
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
10/024,417 · 21/12/2001
Resumo técnico
"DIODO LASER À BASE DE NITRETO DE EMISSÃO PELOS BORDOS COM INJEÇÃO DE CORRENTE EM JUNÇÃO DE TÚNEL P-N". Uma junção de túnel p-n entre uma camada semicondutora do tipo p e uma camada semicondutora do tipo n proporciona injeção de corrente para uma estrutura de laser semicondutor à base de nitreto de emissão pelos bordos. A proporção de material do tipo p na estrutura de laser semi-condutor à base de nitreto pode ser minimizada, com vantagens conseqüentes em desempenhos elétrico, térmico e óptico e na fabricação.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#24.10
Em virtude da extinção publicada na RPI 2610 de 12-01-2021 e considerando ausência de manifestação dentro dos prazos legais, informo que cabe ser mantida a extinção da patente e seus certificados, conforme o disposto no artigo 12, da resolução 113/2013.
04/05/2021
RPI 2626
#21.6
Referente à 18ª anuidade.
12/01/2021
RPI 2610
#16.1
09/07/2013
RPI 2218
#9.1
30/04/2013
RPI 2208
#7.1
25/10/2011
RPI 2129
#3.1
02/12/2003
RPI 1717
#2.1
30/09/2003
RPI 1708
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