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Recorrente: O depositante. @Despacho: Recurso conhecido e negado provimento. Mantido o indeferimento do pedido. [111]
22/01/2019
RPI 2507
Dados do pedido
Número
PI0205192Tipo
Depósito
Publicação
Pedido indeferido em 22/01/2019 e o recurso não mudou a decisão. A invenção não chegou a patente e a tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 22/01/2019. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
X. C. (pessoa física)
US
Inventores
D. B. (pessoa física)
US
M. K. (pessoa física)
US
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
10/024,239 · 21/12/2001
Resumo técnico
"CAMADAS SEMICONDUTORAS ESCALONADAS PARA REDUZIR VOLTAGEM LIMITE PARA UMA ESTRUTURA DE DIODO A LASER À BASE DE NITRETO". A invenção refere-se a camadas semicondutoras escalonadas entre as camadas de GaN e AlGaN, em uma estrutura a laser semicondutor à base de nitreto, reduzem a voltagem limite da estrutura a laser, por redução da barreira de potencial elétrico entre as camadas de GaN e AlGaN. As camadas escalonadas podem ser escalonadas em degraus, escalonadas contínuas ou escalonadas digitais.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Recorrente: O depositante. @Despacho: Recurso conhecido e negado provimento. Mantido o indeferimento do pedido. [111]
22/01/2019
RPI 2507
Recorrente: O depositante.@ Despacho: Cumpra as exigências do parecer no prazo de 60 (sessenta) dias. [121]
30/10/2018
RPI 2495
#8.6
Referente à 16ª anuidade.
23/10/2018
RPI 2494
#12.2
20/05/2014
RPI 2263
#9.2
Indefiro o pedido de acordo com Art. 8° combinado com Art. 13 da LPI
26/06/2012
RPI 2164
#7.1
22/11/2011
RPI 2133
#3.1
29/06/2004
RPI 1747
#2.1
04/02/2003
RPI 1674
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