Arquivamento definitivo por descumprimento
#8.11
REFERENTE AO DESPACHO PUBLICADO NA RPI 1980 DE 16/12/2008.
17/11/2009
RPI 2028
Dados do pedido
Número
PI0201531Tipo
Depósito
Publicação
Pedido arquivado por falta de pagamento das anuidades (art. 86 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 17/11/2009. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
R. R. (pessoa física)
SP, BR
R. Y. (pessoa física)
SP, BR
Inventores
R. R. (pessoa física)
BR
R. Y. (pessoa física)
BR
Classificação IPC
Resumo técnico
"APERFEIÇOAMENTO EM REATOR ELETRÔNICO COM TRANSISTORES BIPOLAR". Constituído por circuito eletrônico(1) do reator bivolt de partida rápida e fator de potência natural, onde os diodos D5 a D11 são de ação rápida de chaveamento, inclusive os diodos D1 a D4 de retificação da fonte de alimentação, para proteção dos capacitores eletrolíticos C1 e C2 contra o pico de corrente e dos transistores T1 e T2 com capacitores C7 e C8 entre a base e o emissor, a fim de fazer a filtragem das harmônicas e uma realimentação das mesmas no transistor, em reduzindo drasticamente a sua temperatura de forma solidária com a bobina toroidal osciladora TR1 de várias espiras que, é o primário da toroíde em conjunto com as bobinas TR2 e TR3 iguais, para que o ferrite da toroíde tenha baixa saturação e não esquente os transistores que são de baixa potência, em possibilitando a utilização de transistores bipolares de 0,6W de potência total até 85W de potência de dissipação, na fabricação de reatores de tamanho bastante reduzido e baixíssimo custo final, para lâmpadas(2) fluorescentes tubulares e compactas de 20W, 32W e 40W de potência.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#8.11
REFERENTE AO DESPACHO PUBLICADO NA RPI 1980 DE 16/12/2008.
17/11/2009
RPI 2028
#8.6
Referente à 5ª e 6ª anuidades.
16/12/2008
RPI 1980
#3.1
13/01/2004
RPI 1723
#2.1
11/06/2002
RPI 1640
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