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Dado oficial do INPI

SISTEMA INTEGRADO PARA PRODUZIR DIÓXIDO DE SILÍCIO DE ALTA PUREZA, PROCESSO PARA PRODUZIR UM REVESTIMENTO DE DIÓXIDO DE SILÍCIO PURO SOBRE UM SUBSTRATO, MÉTODO PARA PREPARAR DIÓXIDO DE SILÍCIO DE ALTA PUREZA, E, SISTEMA INTEGRADO PARA A DISTRIBUIÇÃO DE OXIGÊNIO DE ALTA PUREZA PARA UM FORNO DE OXIDAÇÃO DE SILÍCIO E PARA O USO DE OXIGÊNIO DE ALTA PUREZA PARA PREPARAR DIÓXIDO DE SILÍCIO DE ALTA PUREZA

Arquivada/ExtintaPatente de InvençãoPCT · US2001010458

Dados do pedido

Número

PI0109926

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

29/03/2001

Publicação

05/08/2003

PCT

US2001010458

Andamento no INPI

  1. Depósito29/03/01
  2. Publicação05/08/03
  3. Arquivado
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

Pedido arquivado por falta de pagamento das anuidades (art. 86 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 29/12/2009. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

Praxair Technology, INC.

US

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Inventores

K. A. (pessoa física)

US

N. K. (pessoa física)

US

Dados técnicos

Prioridades unionistas

US

09/545850 · 10/04/2000

Resumo técnico

"SISTEMA INTEGRADO PARA PRODUZIR DIÓXIDO DE SILÍCIO DE ALTA PUREZA, PROCESSO PARA PRODUZIR UM REVESTIMENTO DE DIÓXIDO DE SILÍCIO PURO SOBRE UM SUBSTRATO, MÉTODO PARA PREPARAR DIÓXIDO DE SILÍCIO DE ALTA PUREZA, E, SISTEMA INTEGRADO PARA A DISTRIBUIÇÃO DE OXIGÊNIO DE ALTA PUREZA PARA UM FORNO DE OXIDAÇÃO DE SILÍCIO E PARA O USO DE OXIGÊNIO DE ALTA PUREZA PARA PREPARAR DIÓXIDO DE SILÍCIO DE ALTA PUREZA". Um sistema integrado para produzir dióxido de silício de alta pureza compreendendo: uma fonte (2) de um gás de alimentação contendo oxigênio, uma célula de membrana transportadora de oxigênio (1) contendo uma membrana de transporte seletivo de oxigênio (15), a citada membrana (15) sendo efetiva em temperatura elevada para separar oxigênio no citado gás de alimentação pelo transporte de íons oxigênio do citado gás de alimentação através da citada membrana (15) para formar um permeato de oxigênio purificado, ao mesmo tempo retendo um retido contendo impureza, empobrecido em oxigênio, sobre um lado catódico da mesma, uma passagem (11) da citada fonte (2) para o lado catódico da citada célula de membrana (1), uma fonte de silício (25), e um forno de oxidação de silício (5), em comunicação com um lado anódico da citada célula de membrana (1), para reação do citado permeato de oxigênio purificado com silício em uma alta temperatura de reação, com o propósito de produzir a citada reação de silício de pureza elevada, com o objetivo de produzir o citado dióxido de silício de alta pureza.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Arquivamento definitivo por descumprimento

#8.11

Referente ao despacho publicado 1976 de 18/11/2008.

29/12/2009

RPI 2034

Arquivamento por falta de pagamento

#8.6

Referente a 5ª, 6ª e 7ª anuidades.

18/11/2008

RPI 1976

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

05/08/2003

RPI 1700

Monitoramento de patentes

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