Arquivamento definitivo por descumprimento
#8.11
Referente ao despacho publicado 1976 de 18/11/2008.
29/12/2009
RPI 2034
Dados do pedido
Número
PI0109926Tipo
Depósito
Publicação
PCT
US2001010458 Pedido arquivado por falta de pagamento das anuidades (art. 86 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 29/12/2009. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
Praxair Technology, INC.
US
Inventores
K. A. (pessoa física)
US
N. K. (pessoa física)
US
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
09/545850 · 10/04/2000
Resumo técnico
"SISTEMA INTEGRADO PARA PRODUZIR DIÓXIDO DE SILÍCIO DE ALTA PUREZA, PROCESSO PARA PRODUZIR UM REVESTIMENTO DE DIÓXIDO DE SILÍCIO PURO SOBRE UM SUBSTRATO, MÉTODO PARA PREPARAR DIÓXIDO DE SILÍCIO DE ALTA PUREZA, E, SISTEMA INTEGRADO PARA A DISTRIBUIÇÃO DE OXIGÊNIO DE ALTA PUREZA PARA UM FORNO DE OXIDAÇÃO DE SILÍCIO E PARA O USO DE OXIGÊNIO DE ALTA PUREZA PARA PREPARAR DIÓXIDO DE SILÍCIO DE ALTA PUREZA". Um sistema integrado para produzir dióxido de silício de alta pureza compreendendo: uma fonte (2) de um gás de alimentação contendo oxigênio, uma célula de membrana transportadora de oxigênio (1) contendo uma membrana de transporte seletivo de oxigênio (15), a citada membrana (15) sendo efetiva em temperatura elevada para separar oxigênio no citado gás de alimentação pelo transporte de íons oxigênio do citado gás de alimentação através da citada membrana (15) para formar um permeato de oxigênio purificado, ao mesmo tempo retendo um retido contendo impureza, empobrecido em oxigênio, sobre um lado catódico da mesma, uma passagem (11) da citada fonte (2) para o lado catódico da citada célula de membrana (1), uma fonte de silício (25), e um forno de oxidação de silício (5), em comunicação com um lado anódico da citada célula de membrana (1), para reação do citado permeato de oxigênio purificado com silício em uma alta temperatura de reação, com o propósito de produzir a citada reação de silício de pureza elevada, com o objetivo de produzir o citado dióxido de silício de alta pureza.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#8.11
Referente ao despacho publicado 1976 de 18/11/2008.
29/12/2009
RPI 2034
#8.6
Referente a 5ª, 6ª e 7ª anuidades.
18/11/2008
RPI 1976
#1.3
05/08/2003
RPI 1700
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