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Dado oficial do INPI

PROCESSO PARA FABRICAR UM CIRCUITO INTEGRADO FOTÔNICO

Arquivada/ExtintaPatente de InvençãoPCT · GB2001000904

Dados do pedido

Número

PI0109069

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

02/03/2001

Publicação

07/12/2004

PCT

GB2001000904

Andamento no INPI

  1. Depósito02/03/01
  2. Publicação07/12/04
  3. Arquivado
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

Pedido arquivado por falta de pagamento das anuidades (art. 86 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 19/10/2010. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

NTU Ventures Pte LTD

SG

Inventores

B. O. (pessoa física)

MY

S. T. (pessoa física)

SG

Y. Z. (pessoa física)

SG

Y. L. (pessoa física)

SG

Y. C. (pessoa física)

SG

Dados técnicos

Prioridades unionistas

SG

200004786-0 · 11/09/2000

SG

200004787-8 · 11/09/2000

SG

PCT/SG/00038 · 08/03/2000

SG

PCT/SGOO/00039 · 08/03/2000

Resumo técnico

"PROCESSO PARA FABRICAR UM CIRCUITO INTEGRADO FOTÔNICO". A presente invenção provê uma nova técnica baseada na configuração de máscara de escala de cinza (110), que requer somente uma única etapa de litografia e gravação (110, 120) para produzir diferente espessura de máscara de implantação de SiO~ 2~ (13) em regiões selecionadas, seguida de uma etapa IID (130) para obter intermixagem de área seletiva. Esta técnica nova, de baixo custo e simples pode ser aplicada para a fabricação de PIC em geral, e fontes WDM em particular. Aplicando uma técnica de máscara de escala de cinza em IID, de acordo com a presente invenção, a energia de intervalo de faixa de um material QW pode ser sintonizada em diferentes graus através de uma pastilha (14). Isto habilita, não só a integração de lasers monolíticos de comprimento de onda múltiplo como adicionalmente se estende para integrar com moduladores e acopladores em um único "chip". Esta técnica pode também ser aplicada para facilitar o processo de fabricação e projeto de diodos super luminescentes (SLD) expandindo o espectro de ganho para um máximo, após o crescimento epitaxial.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Arquivamento definitivo por descumprimento

#8.11

Referente ao despacho 8.6 da RPI 2016 de 25/08/2009

19/10/2010

RPI 2076

Arquivamento por falta de pagamento

#8.6

Referente a 5º, 6º, 7º e 8º anuidades.

25/08/2009

RPI 2016

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

07/12/2004

RPI 1770

Monitoramento de patentes

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