Arquivamento - Art. 38 §2° da LPI
#11.4
15/03/2016
RPI 2358
Dados do pedido
Número
PI0109001Tipo
Depósito
Publicação
PCT
US2001007046 Pedido deferido em 10/03/2015, mas arquivado por falta do pagamento da concessão (art. 38 da LPI). A carta-patente nunca foi emitida.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 15/03/2016. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
Eneco, INC.
US
MicroPower Global Limited
VG
Inventores
P. H. (pessoa física)
US
Y. K. (pessoa física)
US
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
09/519.640 · 06/03/2000
US
09/721.051 · 22/11/2000
US
60/213.564 · 22/06/2000
Resumo técnico
"DIODO TÉRMICO PARA CONVERSÃO DE ENERGIA". Implementação de diodo semicondutor de conversor de energia termiônica de estado sólido e método para a conversão de energia térmica para energia elétrica, e energia elétrica para refrigeração. Em versões desta invenção, uma região n* altamente dopada 14 pode servir como região emissora, da qual portadoras podem ser injetadas dentro da região de hiato. A região de hiato 16 pode ser do tipo p, intrínseca ou moderadamente dopada do tipo n 14. Um contato ôhmico quente 12 é conectado à região do tipo n*. Um contato ôhmico frio 20 serve como coletor e está coletado ao outro lado da região de hiato. O contato ôhmico frio tem uma região de recombinação formada entre o contato ôhmico frio e a região de hiato e uma camada de compensação de bloqueio que reduz o componente de fluxo de retorno termoelétrico. O emissor aquecido relativo ao coletor gera um EMF que aciona corrente através de uma carga em série. O princípio inventivo funciona para condutividade de furo, bem como para elétrons.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#11.4
15/03/2016
RPI 2358
#9.1
10/03/2015
RPI 2305
#6.1
21/10/2014
RPI 2285
#25.1
Transferido de: Eneco, Inc.
08/09/2009
RPI 2018
#1.3
29/04/2003
RPI 1686
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