Arquivamento definitivo - Art. 33 da LPI
#11.1.1
27/11/2007
RPI 1925
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Dado oficial do INPI
PONTOS QUÂNTICOS, NANOCRISTAIS SEMICONDUTORES E PARTÍCULAS SEMICONDUTORAS USADOS COMO ELEMENTOS DE CODIFICAÇÃO FLUORESCENTE
ArquivadaPatente de InvençãoPCT · US2001007328
Dados do pedido
Número
PI0104950Tipo
Patente de Invenção
Depósito
07/03/2001
Publicação
19/02/2002
PCT
US2001007328 Andamento no INPI
- Depósito07/03/01
- Publicação19/02/02
- Arquivado
- Deferimento
- Concessão
- Em vigor
Pedido arquivado: o exame técnico não foi requerido nos 36 meses seguintes ao depósito de 07/03/2001, prazo do art. 33 da LPI. A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 27/11/2007. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes e inventores
Depositantes
S. C. (pessoa física)
US
Inventores
N. L. (pessoa física)
US
Dados técnicos
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
09/801,479 · 07/03/2001
US
60/187,607 · 07/03/2000
Resumo técnico
Patente de Invenção: "PONTOS QUÂNTICOS, NANOCRISTAIS SEMICONDUTORES E PARTÍCULAS SEMICONDUTORAS USADOS COMO ELEMENTOS DE CODIFICAÇÃO FLUORESCENTE". Um método é descrito para obter informação sobre um objeto, como é um sistema operando de acordo com o método. O método inclui as etapas de (a) colocar uma pluralidade de regiões sobre um objeto, cada região sendo capaz de emitir um comprimento de onda de luz predeterminado, (b) detectar a luz e (c) decodificar a informação a partir da luz detectada. Pelo menos uma das regiões contém partículas semicondutoras tendo um raio maior do que um raio do ponto quântico para o material semicondutor, e uma composição química selecionada para produzir o comprimento de onda de luz predeterminado. O material semicondutor contém pelo menos um de uma liga do Grupo II-VI, ou uma liga do Grupo III-V, ou um composto compreendido de um material de lacuna da faixa indireta, tais como Si ou Ge. As concentrações da liga ou dos elementos constituintes do composto são pré selecionadas para produzir o comprimento de onda de emissão predeterminado. O material semicondutor pode adicionalmente incluir um dopador selecionado.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Arquivamento - Art. 33 da LPI
#11.1
20/03/2007
RPI 1889
Notificação de entrada na fase nacional - PCT
#1.3
19/02/2002
RPI 1624
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