MÉTODOS PARA A MOLDAGEM DE UMA NANOESTRUTURA DE SILICONE, UM VETOR DE FIOS QUÂNTICOS DE SILICONE E DISPOSITIVOS BASEADOS NOS MESMOS

Classificação IPC

Prioridades unionistas

Resumo técnico

"MÉTODOS PARA A MOLDAGEM DE UMA NANOESTRUTURA DE SILICONE, UM VETOR DE FIOS QUÂNTICOS DE SILICONE E DISPOSITIVOS BASEADOS NOS MESMOS". Um processo para a moldagem controlável de nanoestruturas de silicone tais como um vetor de fios quanticos de silicone. Uma superfície de silicone é borrifada por um fluxo uniforme de íons moleculares de nitrogênio dentro de um vácuo extremo de maneira a formar um alívio periódico similar a uma onda no qual os recôncavos do referido alívio estão nivelados com a fronteira entre o silicone e o isolante do material SOI. A energia iônica, o ângulo de incidência iônica em relação à superfície do referido material, a temperatura da camada de silicone, a profundidade de moldagem do alívio similar a uma onda, a altura do referido alívio similar a uma onda e a faixa de penetração iônica dentro do silicone são todos determinados com base num comprimento de onda selecionado do alívio similar a uma onda dentro da faixa de 9 a 120 nm. Uma máscara de nitreto de silicone apresentando bordas pendentes é utilizada para definir a área da superfície de silicone sobre a qual o vetor é formado. As impurezas são removidas da superfície de silicone dentro da janela de máscara antes do espirramento. A fim de moldar um vetor de fios quânticos de silicone, a espessura da camada de silicone SOI é selecionada para ser maior do que a soma das referidas profundidade de moldagem, da referida altura e da referida faixa de penetração iônica, sendo a fabricação dos fios de silicone controlada por um valor limite de um sinal de emissão de íon secundário a partir do isolante SOI. A nano-estrutura pode ser empregada em dispositivos opto-electrônicos e nano-eletrônicos tais como um FET.