MÉTODO PARA FABRICAR UM CONTATO, E PARA FABRICAR UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR, DISPOSITIVO SEMICONDUTOR, E, CONTATO PARA UM SEMICONDUTOR

Classificação IPC

Prioridades unionistas

Resumo técnico

"MÉTODO PARA FABRICAR UM CONTATO, E PARA FABRICAR UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR, DISPOSITIVO SEMICONDUTOR, E, CONTATO PARA UM SEMICONDUTOR" A presente invenção provê um sistema e método para criar contatos auto-dopantes para dispositivos de silício nos quais o metal de contato é coberto com uma camada de dopante e sujeito a alta temperatura, por esse meio ligando a prata com o silício e dopando simultaneamente o substrato de silício e formando um contato ôhmico de baixa resistência para ele. Um contato negativo auto-dopante pode ser formado de prata não ligada que pode ser aplicada ao substrato de silício tanto borrifando, imprimindo por tela uma pasta ou por evaporação. A prata é coberta com uma camada de dopante. Uma vez aplicada, a prata, substrato e dopante são aquecidos a uma temperatura acima da temperatura eutética de Ag-Si (mas abaixo do ponto de derretimento de silício). A prata se liquefaz mais do que uma proporção eutética do substrato de silício. A temperatura é então diminuída para a temperatura eutética. Quando a temperatura é diminuída, o silício fundido se reforma por epitaxia de fase líquida enquanto assim fazendo, átomos de dopante são incorporados no arranjo atômico de silício reformado. Uma vez que a temperatura cai abaixo da temperatura eutética de prata-silício, o silício que já não foi incorporado no substrato por re-crescimento epitaxial, forma uma liga de fase sólida com a prata. Esta liga de prata e silício é o material de contato final, e é composto de proporções eutéticas de silício e prata. Sob proporções eutéticas, há significativamente mais prata do que silício no material de contato final, por esse meio assegurando boa condutividade elétrica do material de contato final.