(11) 98705-3426
TrademarkIQ íconeTrademarkIQ
Voltar para busca
Dado oficial do INPI

SUPERCONDUTORES COM FILME FINO DE Hg, MATERIAIS TERMOELÉTRICOS E MÉTODOS DE FABRICAÇÃO DOS MESMOS

ArquivadaPatente de InvençãoPCT · US2000029818

Dados do pedido

Número

PI0015099

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

25/10/2000

Publicação

13/06/2006

PCT

US2000029818

Andamento no INPI

  1. Depósito25/10/00
  2. Publicação13/06/06
  3. Arquivado
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

Pedido arquivado: o exame técnico não foi requerido nos 36 meses seguintes ao depósito de 25/10/2000, prazo do art. 33 da LPI. A tecnologia está em domínio público no Brasil.

Falar com um especialista

Última movimentação publicada pelo INPI: 27/11/2007. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

T. K. (pessoa física)

US

Ver toda a carteira desta empresa

Inventores

J. W. (pessoa física)

US

S. Y. (pessoa física)

US

Y. X. (pessoa física)

US

Dados técnicos

Prioridades unionistas

US

09/427,428 · 26/10/1999

Resumo técnico

"SUPERCONDUTORES COM FILME FINO DE Hg, MATERIAIS TERMOELÉTRICOS E MÉTODOS DE FABRICAÇÃO DOS MESMOS". São fornecidos filmes supercondutores contendo Hg aperfeiçoados e materiais termoelétricos. Os filmes são fabricados por recozimento de filmes de partida contendo TI (por exemplo TI-1212 ou TI-2212) em um ambiente contendo vapor de Hg para causar a substituição de TI por Hg sem alteração substancial da estrutura cristalina dos filmes de partida. De preferência, um corpo compreendendo um substrato tendo a filme epitaxial contendo TI sobre si é recozido em condições de vácuo com uma massa à base de Hg; as condições de recozimento típicas são 600 - 900 C por um período de cerca de 1 - 20 horas. Os produtos finais de filme contendo Hg têm um J~ c~ de pelo menos 10^ 6^ A/cm^ 2^ (100 K, OT) e um X~ min~ de até cerca de 50%. Os materiais termoelétricos são preparados por perturbação de um precursor cristalino tendo uma estrutura semelhante à do material final para fazer com que uma primeira molécula seja liberada do precursor. Um vapor é introduzido no sistema reacional ao mesmo tempo que a etapa de perturbação ou imediatamente após a mesma para fazer com que moléculas que estejam no vapor e sejam diferentes das primeiras moléculas substituam as primeiras moléculas no precursor.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Arquivamento definitivo - Art. 33 da LPI

#11.1.1

27/11/2007

RPI 1925

Arquivamento - Art. 33 da LPI

#11.1

30/01/2007

RPI 1882

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

13/06/2006

RPI 1849

Monitoramento de patentes

Acompanhe esta patente em tempo real.

Receba alertas de despachos, decisões e vencimentos do INPI para o seu portfólio.