CÉLULA DE SRAM COM TENSÕES DE LIMIAR DUPLAS COM CONTROLE DE DISPERSÃO DE LINHAS DE BITS

Classificação IPC

Prioridades unionistas

Resumo técnico

Patente de Invenção: "CÉLULA DE SRAM COM TENSÕES DE LIMIAR DUPLAS COM CONTROLE DE DISPERSÃO DE LINHAS DE BITS". Em algumas concretizações, a invenção inclui um circuito integrado incluindo uma linha de bits e linha de bits , linhas de palavras e células de memória. As células de memória correspondendo, cada uma delas, a uma das linhas de palavras e cada uma incluindo primeiro e segundo transistores de passagem acoplados entre primeiro e segundo nós de armazenamento, respectivamente, e a linha de bits e linha de bits , respectivamente, a linha de palavras correspondente sendo acoplada à portas dos primeiro e segundo transistores de passagem. As células de memória incluem primeiro e segundo inversores acoplados transversalmente entre os primeiro e segundo nós de armazenamento, em que os primeiro e segundo transistores de passagem têm, cada um deles uma tensão de limiar menor do que a dos transistores dos primeiro e segundo inversores. O circuito de controle de tensão de linha de palavras afirma o sinal de linha de palavras para uma linha de palavras selecionada correspondente a uma célula de memória selecionada para ser lida e subimpulsiona os sinais de linhas de palavras para as linhas de palavras acoplado às linhas de palavras seletivamente controla os sinais das linhas de palavras. Em algumas concretizações, o circuito de controle de tensão de linha de palavras não correspondentes à célula de memória selecionada.