Modelo de Utilidade ESTRUTURA SEMICONDUTORA E MÉTODO PARA FABRICAÇÃO DE UMA ESTRUTURA SEMICONDUTORA — IPC H01L 21/336. Figura publicada pelo INPI na Revista da Propriedade Industrial.
A presente invenção refere-se a dispositivos semicondutores não planos que têm aletas autoalinhadas com camadas de bloqueio de topo e métodos para fabricar dispositivos semicondutores não planos que têm aletas autoalinhadas com camadas de bloqueio de topo. Por exemplo, uma estrutura semicondutora inclui uma aleta semicondutora disposta acima de um substrato semicondutor e que tem uma superfície de topo. Uma camada de isolamento é disposta em cada lado da aleta se-micondutora e rebaixada abaixo da superfície de topo da aleta semi-condutora para fornecer uma porção protuberante da aleta semicondu-tora. A porção protuberante tem paredes laterais e a superfície de topo. Uma camada de bloqueio de porta tem uma primeira porção disposta em pelo menos uma porção da superfície de topo da aleta semicondutora, e tem uma segunda porção disposta em pelo menos uma porção das paredes laterais da aleta semicondutora. A primeira porção da camada de bloqueio de porta é contínua com, porém, mais espessa que, a segunda porção da camada de bloqueio de porta. Uma pilha de porta é disposta na primeira e na segunda porções da camada de bloqueio de porta.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Indeferimento
#9.2
23/02/2023
RPI 2720
Conhecimento de parecer técnico
#7.1
11/10/2022
RPI 2701
Exigência preliminar
#6.21
17/05/2022
RPI 2680
Publicação do pedido de patente
#3.1
27/08/2019
RPI 2538
Notificação de pedido dividido
#2.4
08/08/2017
RPI 2431
Requerimento de pedido de patente
#2.10
Protocolo nº 870160015305, em 25/04/2016; 10:30 (WB); Dividido do PCT BR 11 2015 029842-7
