DISPOSITIVO DE TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (FET) DE PORTA CIRCUNDANTE (GAA), E, MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE UM DISPOSITIVO DE TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (FET) DE PORTA CIRCUNDANTE (GAA)
Patente de Invenção DISPOSITIVO DE TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (FET) DE PORTA CIRCUNDANTE (GAA), E, MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE UM DISPOSITIVO DE TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (FET) DE PORTA CIRCUNDANTE (GAA) — IPC B82Y 10/00. Figura publicada pelo INPI na Revista da Propriedade Industrial.
DISPOSITIVO DE TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (FET) DE PORTA CIRCUNDANTE (GAA), E, MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE UM DISPOSITIVO DE TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (FET) DE PORTA CIRCUNDANTE (GAA). São divulgados uma região de extensão de formato aprimorado para dispositivos de transistor de efeito de campo (FET) de porta circundante (GAA) e métodos de fabricação relacionados. O dispositivo GAA FET inclui uma região de extensão de material semicondutor acoplada a partir do respectivo canal à região de fonte/dreno para facilitar a formação de um canal condutor entre as regiões de fonte e de dreno quando o dispositivo GAA FET é ativado. A área da região de extensão entre as regiões de fonte/dreno e o canal forma uma resistência em série entre as regiões de fonte/dreno e o canal. Para reduzir a resistência parasitária de canal, a região de extensão do dispositivo GAA FET tem uma porção de extensão aprimorada que tem uma altura estendida ortogonal à direção do canal. A região de extensão com sua porção de extensão aprimorada tem uma resistência reduzida em comparação com uma região de extensão que não contém a porção de extensão aprimorada, reduzindo, assim, a resistência parasitária de canal do dispositivo GAA FET para um desempenho melhorado. Adicionalmente, são revelados dispositivo de transistor de efeito de campo (FET) de porta circundante (GAA), e, método de fabricação de um dispositivo de transistor de efeito de campo (FET) de porta circundante (GAA) relacionados.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
