CIRCUITO INTEGRADO DE RADIOFREQUÊNCIA (RFIC), E, MÉTODO DE CONSTRUÇÃO DE UM CIRCUITO INTEGRADO DE RADIOFREQUÊNCIA (RFIC) TENDO UM TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE COMUTAÇÃO (FET)
Patente de Invenção CIRCUITO INTEGRADO DE RADIOFREQUÊNCIA (RFIC), E, MÉTODO DE CONSTRUÇÃO DE UM CIRCUITO INTEGRADO DE RADIOFREQUÊNCIA (RFIC) TENDO UM TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE COMUTAÇÃO (FET) — IPC H01L 27/12. Figura publicada pelo INPI na Revista da Propriedade Industrial.
CIRCUITO INTEGRADO DE RADIOFREQUÊNCIA (RFIC), E, MÉTODO DE CONSTRUÇÃO DE UM CIRCUITO INTEGRADO DE RADIOFREQUÊNCIA (RFIC) TENDO UM TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE COMUTAÇÃO (FET). É descrito um circuito integrado de radiofrequência (RFIC). O RFIC inclui um transistor de efeito de campo de comutação (FET). O FET de comutação inclui uma região de origem, uma região de drenagem, uma região de corpo e uma região de porta. O RFIC inclui também um circuito de controle de polarização dinâmica. O circuito de controle de polarização dinâmica inclui pelo menos um transistor acoplado entre a região de corpo e a região de porta do FET de comutação. Adicionalmente, são revelados: circuito integrado de radiofrequência (RFIC), e, método de construção de um circuito integrado de radiofrequência (RFIC) tendo um transistor de efeito de campo de comutação (FET) relacionados.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
