Dados do pedido
Número
112025001573Tipo
Depósito
Publicação
PCT
US2023024037 Patente de Invenção (via PCT) depositado no INPI em 31/05/2023. Aguarda exame formal e publicação na RPI.
Última movimentação publicada pelo INPI: 30/06/2026. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
Q. I. (pessoa física)
US
Inventores
B. Y. (pessoa física)
US
X. L. (pessoa física)
US
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
17/818,933 · 10/08/2022
Resumo técnico
ESTRUTURA DE TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO COMPLEMENTAR (CFET), E, MÉTODO PARA FABRICAÇÃO DE UMA ESTRUTURA DE TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO COMPLEMENTAR (CFET). É divulgado um transistor de efeito de campo complementar (CFET) formado a partir de transistores de material 2D empilhados. Os transistores de material 2D são formados a partir de dicalcogeneto de metal de transição (TMD), que são semicondutores atomicamente finos. Os transistores TMD empilhados permitem corrente de acionamento aprimorada e capacitância de comutação mais baixa, ambas as quais são desejáveis. Adicionalmente, são revelados: estrutura de transistor de efeito de campo complementar (CFET), e, método para fabricação de uma estrutura de transistor de efeito de campo complementar (CFET) relacionados.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Concedido o trâmite prioritário requerido através da petição nº 870260047398, de 19/05/2026, haja vista que atende ao disposto nos artigos 3º, 4º e 5º da Portaria/INPI/PR nº 48, de 29/11/2024, publicada na RPI 2814, de 10/12/2024.
30/06/2026
RPI 2895
Notificação de requerimento de trâmite prioritário de PPH, conforme protocolo n° 870260047398, de 19/05/2026
23/06/2026
RPI 2894
#1.3
01/07/2025
RPI 2843
#1.1
04/02/2025
RPI 2822
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