Patente de Invenção MATRIZ SEMICONDUTORA, DISPOSITIVO SEMICONDUTOR E MÉTODO PARA FORMAR UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR de CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC. — IPC H01L 23/48. Figura publicada pelo INPI na Revista da Propriedade Industrial.
MATRIZ SEMICONDUTORA, DISPOSITIVO SEMICONDUTOR E MÉTODO PARA FORMAR UM DISPOSITIVO SEMICONDUTOR. A presente revelação diz respeito a uma matriz semicondutora, um dispositivo semicondutor e um método de formação do mesmo. A matriz semicondutora compreende: um substrato que compreende uma face superior e uma face inferior; e uma pluralidade de pares de grupos de furos passantes de sinal mutuamente independentes, em que os grupos de furos passantes de sinal são dispostos em intervalos no substrato, dois grupos de furos passantes de sinal em cada par de grupos de furos passantes de sinal são distribuídos simetricamente em relação a um eixo geométrico na face superior do substrato e são distribuídos respectivamente em uma primeira área e uma segunda área nos dois lados do eixo geométrico, o eixo geométrico é paralelo a uma primeira direção ou a uma segunda direção, cada grupo de furos passantes de sinal compreende uma pluralidade de furos passantes de sinal dispostos em uma forma poligonal, quaisquer dois furos passantes de sinal em cada grupo de furos passantes de sinal são eletricamente isolados e cada furo passante de sinal penetra no substrato em uma terceira direção.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
