Patente de Invenção DISPOSITIVO DE ALTO DESEMPENHO COM CONTATOS LATERAIS DUPLOS — IPC H01L 21/28. Figura publicada pelo INPI na Revista da Propriedade Industrial.
Pedido arquivado: o exame técnico não foi requerido nos 36 meses seguintes ao depósito de 10/01/2023, prazo do art. 33 da LPI. A tecnologia está em domínio público no Brasil.
DISPOSITIVO DE ALTO DESEMPENHO COM CONTATOS LATERAIS DUPLOS. É divulgado um transístor de um dispositivo que tem contatos laterais duplos nos quais pelo menos um contato de dreno está no lado oposto da porta. Dessa forma, a resistência da porta pode ser reduzida sem aumentar as capacitâncias parasíticas entre a porta e o dreno.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
