Patente de Invenção TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO QUÂNTICO TOPOLÓGICO DE CAPACITÂNCIA NEGATIVA — IPC H01L 27/088. Figura publicada pelo INPI na Revista da Propriedade Industrial.
DERIVADOS DE TRIAZINONA FUNDIDOS E MÉTODOS DE USO DOS MESMOS. É aqui divulgada uma estrutura compreendendo: um eletrodo de porta superior e um eletrodo de porta inferior, uma camada de canal formada a partir de um material de canal com um intervalo de banda modulável por campo elétrico, a camada de canal sendo eletricamente isolada do eletrodo de porta superior e do eletrodo de porta inferior e estar localizado adjacente a pelo menos uma camada de um material de capacitância negativa.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
