CAPACITOR DE ALTA DENSIDADE BASEADO EM SILÍCIO.São divulgados dispositivos tendo um capacitor de metal-isolante-metal (MIM) e métodos para fabricar os dispositivos. O capacitor MIM inclui uma pluralidade de trincheiras em um substrato de silício (Si); uma superfície de Si poroso formada na pluralidade de trincheiras, onde a superfície de Si poroso tem uma superfície irregular nas paredes laterais e no fundo da pluralidade de trincheiras; uma camada de óxido conformalmente disposta sobre a superfície de Si poroso; uma primeira placa conformalmente disposta sobre a camada de óxido; uma primeira camada dielétrica conformalmente disposta sobre a primeira placa; e uma segunda placa conformalmente disposta sobre o primeiro dielétrico, onde cada uma dentre a primeira placa, a primeira camada dielétrica e a segunda placa tem uma superfície irregular que, de modo geral, se conforma à superfície irregular da superfície de Si poroso.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
