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Dado oficial do INPI

CIRCUITO INTEGRADO (IC) DE SEMICONDUTOR DE ÓXIDO METÁLICO (MOS)

ConcedidaPatente de InvençãoPCT · US2022033528

Dados do pedido

Patente de Invenção CIRCUITO INTEGRADO (IC) DE SEMICONDUTOR DE ÓXIDO METÁLICO (MOS) — IPC G06F 30/392
Patente de Invenção CIRCUITO INTEGRADO (IC) DE SEMICONDUTOR DE ÓXIDO METÁLICO (MOS) — IPC G06F 30/392. Figura publicada pelo INPI na Revista da Propriedade Industrial.

Número

112023026256

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

15/06/2022

Publicação

27/02/2024

PCT

US2022033528

Andamento no INPI

  1. Depósito15/06/22
  2. Publicação27/02/24
  3. Exame
  4. Deferimento27/05/25
  5. Concessão17/06/25
  6. Em vigor15/06/42

Patente concedida em 17/06/2025 e em vigor até 15/06/2042. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.

Proteção válida até:15/06/2042

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Última movimentação publicada pelo INPI: 17/06/2025. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

Q. I. (pessoa física)

US

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Inventores

K. B. (pessoa física)

US

T. W. (pessoa física)

US

Dados técnicos

Prioridades unionistas

US

17/362,746 · 29/06/2021

Resumo técnico

ESTRUTURA DE LAYOUT DE CÉLULA DUMMY E CÉLULA TAP.Um MOS IC inclui um primeiro circuito incluindo uma primeira pluralidade de dispositivos nMOS, uma primeira célula p-tap e uma primeira célula nMOS dummy e um segundo circuito incluindo uma primeira pluralidade de dispositivos pMOS, uma primeira célula pMOS dummy e uma primeira célula n-tap. Os dispositivos nMOS/pMOS são espaçados em uma primeira direção. A primeira célula p-tap e a primeira célula nMOS dummy são adjacentes uma à outra na primeira direção entre os dispositivos nMOS. A primeira célula pMOS dummy e a primeira célula n-tap são adjacentes uma à outra na primeira direção entre os dispositivos pMOS. Os dispositivos pMOS são adjacentes aos dispositivos nMOS em uma segunda direção ortogonal à primeira direção. A primeira célula p-tap/a primeira célula pMOS dummy e a primeira célula nMOS dummy/a primeira célula n-tap são respectivamente adjacentes uma à outra na segunda direção.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Concessão da patente

#16.1

Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 15/06/2022, observadas as condições legais

17/06/2025

RPI 2841

Deferimento

#9.1

27/05/2025

RPI 2838

6.9

Anulada a publicação código 6.1 na RPI nº 2831 de 08/04/2025 por ter sido indevida.

20/05/2025

RPI 2837

Exigência - art. 36 da LPI

#6.1

08/04/2025

RPI 2831

28.30

Concedido o trâmite prioritário requerido através da petição nº 870250002739, de 13/01/2025, haja vista que atende ao disposto nos artigos 3º, 4º e 5º da Portaria/INPI/PR nº 48, de 29/11/2024, publicada na RPI 2814, de 10/12/2024.

28/01/2025

RPI 2821

28.10.32

Notificação de requerimento de trâmite prioritário de PPH, conforme protocolo n° 870250002739, de 13/01/2025

21/01/2025

RPI 2820

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

27/02/2024

RPI 2773

Alteração de dados cadastrais

#1.1

26/12/2023

RPI 2764

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