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Dado oficial do INPI

ELEMENTO DE MEMÓRIA VOLÁTIL DE CONDUÇÃO MISTA PARA GRAVAÇÃO ACELERADA DE DISPOSITIVO MEMRISTIVO NÃO VOLÁTIL

Em ExigênciaPatente de InvençãoPCT · CN2021129585

Dados do pedido

Número

112023010090

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

09/11/2021

Publicação

27/06/2023

PCT

CN2021129585

Andamento no INPI

Parecer técnico a responder
  1. Depósito09/11/21
  2. Publicação27/06/23
  3. Exame
  4. Deferimento
  5. Concessão
  6. Em vigor

O INPI emitiu parecer técnico sobre a patenteabilidade. O depositante tem de se manifestar para o exame prosseguir.

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Última movimentação publicada pelo INPI: 21/07/2026. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

I. C. (pessoa física)

US

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Inventores

I. O. (pessoa física)

US

K. B. (pessoa física)

US

L. Y. (pessoa física)

US

W. W. (pessoa física)

US

Y. K. (pessoa física)

US

Dados técnicos

Prioridades unionistas

US

17/121,379 · 14/12/2020

Resumo técnico

ELEMENTO DE MEMÓRIA VOLÁTIL DE CONDUÇÃO MISTA PARA GRAVAÇÃO ACELERADA DE DISPOSITIVO MEMRISTIVO NÃO VOLÁTIL.Uma estrutura de memória analógica e métodos de gravação em tal estrutura são fornecidos. A estrutura de memória analógica inclui um elemento de memória volátil em série com um elemento de memória não volátil. A estrutura de memória analógica pode alterar a resistência mediante a aplicação de uma voltagem. Isso pode permitir a gravação acelerada da estrutura de memória analógica.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Parecer de pré-exame

#6.23

21/07/2026

RPI 2898

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

27/06/2023

RPI 2738

Alteração de dados cadastrais

#1.1

06/06/2023

RPI 2735

Monitoramento de patentes

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