Parecer de pré-exame
#6.23
21/07/2026
RPI 2898
Dados do pedido
Número
112023010090Tipo
Depósito
Publicação
PCT
CN2021129585 O INPI emitiu parecer técnico sobre a patenteabilidade. O depositante tem de se manifestar para o exame prosseguir.
Última movimentação publicada pelo INPI: 21/07/2026. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
I. C. (pessoa física)
US
Inventores
I. O. (pessoa física)
US
K. B. (pessoa física)
US
L. Y. (pessoa física)
US
W. W. (pessoa física)
US
Y. K. (pessoa física)
US
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
17/121,379 · 14/12/2020
Resumo técnico
ELEMENTO DE MEMÓRIA VOLÁTIL DE CONDUÇÃO MISTA PARA GRAVAÇÃO ACELERADA DE DISPOSITIVO MEMRISTIVO NÃO VOLÁTIL.Uma estrutura de memória analógica e métodos de gravação em tal estrutura são fornecidos. A estrutura de memória analógica inclui um elemento de memória volátil em série com um elemento de memória não volátil. A estrutura de memória analógica pode alterar a resistência mediante a aplicação de uma voltagem. Isso pode permitir a gravação acelerada da estrutura de memória analógica.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#6.23
21/07/2026
RPI 2898
#1.3
27/06/2023
RPI 2738
#1.1
06/06/2023
RPI 2735
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