Arquivamento - Art. 36 §1° da LPI
#11.2
28/07/2026
RPI 2899
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Dado oficial do INPI
TÉCNICAS DE CIRCUITO PARA MAIOR ROBUSTEZ DE DESCARGA ELETROSTÁTICA (ESD)
ArquivadaPatente de InvençãoPCT · US2021038620
Dados do pedido
Número
112022026057Tipo
Patente de Invenção
Depósito
23/06/2021
Publicação
17/01/2023
PCT
US2021038620 Andamento no INPI
- Depósito23/06/21
- Publicação17/01/23
- Arquivado
- Deferimento
- Concessão
- Em vigor
Pedido arquivado: a exigência técnica do INPI não foi cumprida no prazo (art. 36 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 28/07/2026. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes e inventores
Depositantes
Q. I. (pessoa física)
US
Inventores
K. C. (pessoa física)
US
R. J. (pessoa física)
US
S. D. (pessoa física)
US
W. C. (pessoa física)
US
Dados técnicos
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
17/355,016 · 22/06/2021
US
63/046,311 · 30/06/2020
Resumo técnico
TÉCNICAS DE CIRCUITO PARA MAIOR ROBUSTEZ DE DESCARGA ELETROSTÁTICA (ESD). Esquemas de circuito de descarga eletrostática (ESD) exemplares são fornecidos de acordo com vários aspectos da presente descrição. Em certos aspectos, um caminho de corrente é criado durante um evento ESD que faz com que a corrente flua através de um resistor acoplado a um transistor protegido (por exemplo, um transistor acionador). A corrente através do resistor cria uma queda de tensão no resistor, o que reduz a tensão vista pelo transistor protegido. Em certos aspectos, o caminho de corrente é fornecido por um circuito ESD acoplado a um nó entre o resistor e o transistor. Em certos aspectos, o caminho atual é criado ao ligar o transistor durante o evento ESD com um dispositivo de gatilho.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Parecer de pré-exame
#6.23
24/03/2026
RPI 2881
Notificação de entrada na fase nacional - PCT
#1.3
17/01/2023
RPI 2715
Alteração de dados cadastrais
#1.1
27/12/2022
RPI 2712
Monitoramento de patentes
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