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Dado oficial do INPI

MÉTODO PARA FABRICAR UMA ESTRUTURA SEMICONDUTORA

ConcedidaPatente de InvençãoPCT · IB2021053243

Dados do pedido

Número

112022022528

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

20/04/2021

Publicação

13/12/2022

PCT

IB2021053243

Andamento no INPI

  1. Depósito20/04/21
  2. Publicação13/12/22
  3. Exame
  4. Deferimento04/11/25
  5. Concessão30/12/25
  6. Em vigor20/04/41

Patente concedida em 30/12/2025 e em vigor até 20/04/2041. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.

Proteção válida até:20/04/2041

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Depositantes e inventores

Depositantes

I. C. (pessoa física)

US

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Inventores

K. M. (pessoa física)

CH

M. S. (pessoa física)

CH

N. T. (pessoa física)

CH

Dados técnicos

Classificação IPC

Prioridades unionistas

US

16/865,973 · 04/05/2020

Resumo técnico

FABRICAÇÃO DE ESTRUTURAS SEMICONDUTORAS. Um método para fabricar uma estrutura semicondutora. O método compreende fabricar uma estrutura de cristal fotônico (113) de um primeiro material, em particular um primeiro material semicondutor e remover seletivamente o primeiro material dentro de uma parte predefinida da estrutura de cristal fotônico (113). O método compreende ainda a substituição do primeiro material dentro da parte predefinida da estrutura de cristal fotônico (113) por um ou mais segundos materiais por epitaxia seletiva. Os um ou mais segundos materiais podem ser em particular materiais semicondutores. Um dispositivo é obtido por tal método.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Concessão da patente

#16.1

Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 20/04/2021, observadas as condições legais

30/12/2025

RPI 2869

Deferimento

#9.1

04/11/2025

RPI 2861

Exigência - art. 36 da LPI

#6.1

09/09/2025

RPI 2853

Parecer de pré-exame

#6.23

27/05/2025

RPI 2838

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

13/12/2022

RPI 2710

Alteração de dados cadastrais

#1.1

16/11/2022

RPI 2706

Monitoramento de patentes

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