Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 20/04/2021, observadas as condições legais
30/12/2025
RPI 2869
Dados do pedido
Número
112022022528Tipo
Depósito
Publicação
PCT
IB2021053243 Patente concedida em 30/12/2025 e em vigor até 20/04/2041. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:20/04/2041
Última movimentação publicada pelo INPI: 30/12/2025. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
I. C. (pessoa física)
US
Inventores
K. M. (pessoa física)
CH
M. S. (pessoa física)
CH
N. T. (pessoa física)
CH
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
16/865,973 · 04/05/2020
Resumo técnico
FABRICAÇÃO DE ESTRUTURAS SEMICONDUTORAS. Um método para fabricar uma estrutura semicondutora. O método compreende fabricar uma estrutura de cristal fotônico (113) de um primeiro material, em particular um primeiro material semicondutor e remover seletivamente o primeiro material dentro de uma parte predefinida da estrutura de cristal fotônico (113). O método compreende ainda a substituição do primeiro material dentro da parte predefinida da estrutura de cristal fotônico (113) por um ou mais segundos materiais por epitaxia seletiva. Os um ou mais segundos materiais podem ser em particular materiais semicondutores. Um dispositivo é obtido por tal método.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 20/04/2021, observadas as condições legais
30/12/2025
RPI 2869
#9.1
04/11/2025
RPI 2861
#6.1
09/09/2025
RPI 2853
#6.23
27/05/2025
RPI 2838
#1.3
13/12/2022
RPI 2710
#1.1
16/11/2022
RPI 2706
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