Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 30/04/2021, observadas as condições legais
10/03/2026
RPI 2879
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Dado oficial do INPI
MÉTODO PARA FABRICAR UMA ESTRUTURA SEMICONDUTORA E DISPOSITIVO SEMICONDUTOR
ConcedidaPatente de InvençãoPCT · IB2021053610
Dados do pedido
Número
112022021777Tipo
Patente de Invenção
Depósito
30/04/2021
Publicação
13/12/2022
PCT
IB2021053610 Andamento no INPI
- Depósito30/04/21
- Publicação13/12/22
- Exame
- Deferimento18/02/26
- Concessão10/03/26
- Em vigor30/04/41
Patente concedida em 10/03/2026 e em vigor até 30/04/2041. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:30/04/2041
Última movimentação publicada pelo INPI: 10/03/2026. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes e inventores
Depositantes
I. C. (pessoa física)
US
Inventores
C. R. (pessoa física)
US
D. G. (pessoa física)
US
J. L. (pessoa física)
US
K. C. (pessoa física)
US
R. X. (pessoa física)
US
T. L. (pessoa física)
US
T. K. (pessoa física)
US
Dados técnicos
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
16/876,443 · 18/05/2020
Resumo técnico
TRANSISTOR DE NANOFOLHAS COM PILHA DE PORTA ASSIMÉTRICA.Métodos e estruturas resultantes para dispositivos de nanofolhas com pilhas de portas assimétricas são descritos. Uma pilha de nanofolhas (102) é formada sobre um substrato(104). A pilha de nanofolhas (102) inclui camadas semicondutoras alternadas (108) e camadas de sacrifício(110). Um revestimento de sacrifício (202) é formado sobre a pilha de nanofolhas (102) e uma estrutura de porta dielétrica (204) é formada sobre a pilha de nanofolhas (102) e o revestimento de sacrifício (202). Um primeiro espaçador interno (302) é formado em uma parede lateral das camadas de sacrifício (110). Uma porta (112) é formada sobre regiões de canal da pilha de nanofolhas (102). A porta (112) inclui uma ponte condutora que se estende sobre o substrato (104) em uma direção ortogonal à pilha de nanofolhas (102). Um segundo espaçador interno (902) é formado em uma parede lateral do portão (112). O primeiro espaçador interno (302) é formado antes da pilha de portas (112), enquanto o segundo espaçador interno (902) é formado depois e, consequentemente, a pilha de portas (112) é assimétrica.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Deferimento
#9.1
18/02/2026
RPI 2876
Conhecimento de parecer técnico
#7.1
21/10/2025
RPI 2859
Parecer de pré-exame
#6.23
27/05/2025
RPI 2838
8.7
12/11/2024
RPI 2810
Arquivamento por falta de pagamento
#8.6
Referente à 3ª anuidade.
18/06/2024
RPI 2789
Notificação de entrada na fase nacional - PCT
#1.3
13/12/2022
RPI 2710
Alteração de dados cadastrais
#1.1
08/11/2022
RPI 2705
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