Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 04/06/2021, observadas as condições legais
06/01/2026
RPI 2870
Dados do pedido
Número
112022020601Tipo
Depósito
Publicação
PCT
IB2021054905 Patente concedida em 06/01/2026 e em vigor até 04/06/2041. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:04/06/2041
Última movimentação publicada pelo INPI: 06/01/2026. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
I. C. (pessoa física)
US
Inventores
A. R. (pessoa física)
DE
O. G. (pessoa física)
US
R. X. (pessoa física)
US
T. L. (pessoa física)
CN
T. K. (pessoa física)
TW
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
16/905,626 · 18/06/2020
Resumo técnico
CONTATO ENTERRADO EPITAXIAL INCLINADO.São fornecidos projetos de dispositivos semicondutores com um trilho de energia enterrado (602) com um contato enterrado epitaxial inclinado (1702). Em um aspecto, um dispositivo FET semicondutor inclui: pelo menos um portão disposto em um substrato (202); fonte e drenos (906) em lados opostos do pelo menos um portão, onde pelo menos uma das fontes e drenos (906) tem uma superfície inclinada (1402); um trilho de energia enterrado (602) embutido no substrato (202); e um contato enterrado (1702) que liga o trilho de energia enterrado (602) à superfície inclinada (1402) da pelo menos uma fonte e dreno (906). Espaçadores de parede lateral (502) separam o trilho de energia enterrado (602) do substrato (202). Um topo da superfície inclinada (1402) da pelo menos uma fonte e dreno (906) está acima de uma superfície superior do contato enterrado (1702). Métodos de formação de um dispositivo FET semicondutor também são fornecidos.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 04/06/2021, observadas as condições legais
06/01/2026
RPI 2870
#9.1
25/11/2025
RPI 2864
#6.1
05/08/2025
RPI 2848
#6.23
27/05/2025
RPI 2838
#1.3
27/12/2022
RPI 2712
#1.1
25/10/2022
RPI 2703
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