Arquivamento definitivo - Art. 33 da LPI
#11.1.1
02/07/2024
RPI 2791
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Dado oficial do INPI
CIRCUITO TRANSISTORIZADO COM FONTE E DRENO ASSIMÉTRICOS
ArquivadaPatente de InvençãoPCT · US2021026287
Dados do pedido
Número
112022019798Tipo
Patente de Invenção
Depósito
07/04/2021
Publicação
16/11/2022
PCT
US2021026287 Andamento no INPI
- Depósito07/04/21
- Publicação16/11/22
- Arquivado
- Deferimento
- Concessão
- Em vigor
Pedido arquivado: o exame técnico não foi requerido nos 36 meses seguintes ao depósito de 07/04/2021, prazo do art. 33 da LPI. A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 02/07/2024. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes e inventores
Depositantes
Q. I. (pessoa física)
US
Inventores
H. Y. (pessoa física)
US
J. Z. (pessoa física)
US
Dados técnicos
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
16/844,699 · 09/04/2020
Resumo técnico
CIRCUITO TRANSISTORIZADO COM FONTE E DRENO ASSIMÉTRICOS. A capacitância parasítica de um transistor pode ser reduzida por descasamento da fonte e do dreno. Transistores de contagem de dedo baixo mais rápidos podem ser obtidos com capacitância de dreno mais baixa e um ganho de frequência no inversor D1 como descrito para os exemplos da presente invenção. Em tal exemplo, um transistor inclui uma fonte e um dreno em que um comprimento da fonte é maior que um comprimento do dreno, uma largura da fonte é maior que uma largura do dreno ou uma altura da fonte é maior que uma altura do dreno.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Arquivamento - Art. 33 da LPI
#11.1
16/04/2024
RPI 2780
Notificação de entrada na fase nacional - PCT
#1.3
16/11/2022
RPI 2706
Alteração de dados cadastrais
#1.1
11/10/2022
RPI 2701
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