CIRCUITOS CELULARES COMPLEMENTARES QUE EMPREGAM ESTRUTURAS DE ISOLAMENTO PARA REDUÇÃO DE DEFEITO E MÉTODOS RELACIONADOS DE FABRICAÇÃO

Classificação IPC

Prioridades unionistas

Resumo técnico

CIRCUITOS CELULARES COMPLEMENTARES QUE EMPREGAM ESTRUTURAS DE ISOLAMENTO PARA REDUÇÃO DE DEFEITO E MÉTODOS RELACIONADOS DE FABRICAÇÃO. Para impedir defeitos de curto entre fonte/drenos de transistores de um circuito celular complementar, as paredes de isolamento (414A) são formadas em uma região de isolamento entre a fonte/drenos dos transistores antes do crescimento de uma camada epitaxial do tipo P e uma camada epitaxial do tipo N nos respectivos lados da região de isolamento. As paredes de isolamento fornecem uma barreira física para impedir a formação de defeitos de curto que podem, de outro modo, se formar entre as camadas epitaxiais do tipo P (412P) e do tipo N (412N). Assim, as paredes de isolamento impedem falhas de circuito resultantes de curtos elétricos entre regiões de fonte/dreno de transistores em circuitos celulares complementares. Uma largura da região de isolamento entre um transistor do tipo P e um transistor do tipo N em um leiaute de circuito celular pode ser reduzida de modo que uma área de leiaute total do circuito celular complementar possa ser reduzida sem reduzir o rendimento de produto. Um corte de porta pode ser formado na porta artificial com um processo de formação das paredes de isolamento.