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Dado oficial do INPI

MÉTODO DE FABRICAÇÃO DE VIA ATRAVÉS DE SILÍCIO EM DISPOSITIVOS QUÂNTICOS PLANARES

ConcedidaPatente de InvençãoPCT · EP2020057766

Dados do pedido

Número

112021021816

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

20/03/2020

Publicação

04/01/2022

PCT

EP2020057766

Andamento no INPI

  1. Depósito20/03/20
  2. Publicação04/01/22
  3. Exame
  4. Deferimento05/11/24
  5. Concessão31/12/24
  6. Em vigor20/03/40

Patente concedida em 31/12/2024 e em vigor até 20/03/2040. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.

Proteção válida até:20/03/2040

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Última movimentação publicada pelo INPI: 31/12/2024. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.

Depositantes e inventores

Depositantes

I. C. (pessoa física)

US

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Inventores

A. V. (pessoa física)

US

A. K. (pessoa física)

US

J. H. (pessoa física)

US

J. R. (pessoa física)

US

M. B. (pessoa física)

US

S. R. (pessoa física)

US

Dados técnicos

Prioridades unionistas

US

16/396,992 · 29/04/2019

Resumo técnico

FABRICAÇÃO DE VIA ATRAVÉS DE SILÍCIO EM DISPOSITIVOS QUÂNTICOS PLANARES. Em uma primeira camada supercondutora (316) depositada em uma primeira superfície de um substrato (312), um primeiro componente de um ressonador é padronizado. Em uma segunda camada supercondutora (326) depositada em uma segunda superfície do substrato (312), um segundo componente do ressonador é padronizado. A primeira superfície e a segunda superfície são dispostas em relação uma à outra em uma disposição não coplanar. No substrato, um recesso é criado, o recesso se estendendo da primeira camada supercondutora para a segunda camada supercondutora. Em uma superfície interna do recesso, uma terceira camada supercondutora (322) é depositada, a terceira camada supercondutora formando um caminho supercondutor entre a primeira camada supercondutora e a segunda camada supercondutora. O excesso de material da terceira camada supercondutora é removido da primeira superfície e da segunda superfície, formando um uma via através de silício (TSV) completa(320).

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Concessão da patente

#16.1

Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 20/03/2020, observadas as condições legais

31/12/2024

RPI 2817

Deferimento

#9.1

05/11/2024

RPI 2809

Exigência - art. 36 da LPI

#6.1

09/07/2024

RPI 2792

Parecer de pré-exame

#6.23

26/03/2024

RPI 2777

Retificação da notificação da fase nacional - PCT

#1.3.1

Foi retificada a publicação 1.3 da RPI 2661 de 04/01/2022 em relação ao item 72 da mesma.

18/01/2022

RPI 2663

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

04/01/2022

RPI 2661

Alteração de dados cadastrais

#1.1

09/11/2021

RPI 2653

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