Arquivamento - Art. 36 §1° da LPI
#11.2
28/05/2024
RPI 2786
Dados do pedido
Número
112019022721Tipo
Depósito
Publicação
PCT
KR2019008738 Pedido arquivado: a exigência técnica do INPI não foi cumprida no prazo (art. 36 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 28/05/2024. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
SEOUL VIOSYS CO., LTD.
KR
Inventores
C. S. (pessoa física)
KR
S. L. (pessoa física)
KR
Classificação IPC
Prioridades unionistas
KR
10-2018-0085992 · 24/07/2018
Resumo técnico
A presente invenção diz respeito a um diodo emissor de luz com uma camada de óxido de zinco e um método de fabricação do mesmo. O diodo emissor de luz inclui: uma estrutura emissora de luz incluindo uma primeira camada semicondutora tipo condutividade baseada em nitreto de gálio, uma segunda camada semicondutora tipo condutividade baseada em nitreto de gálio, e uma camada ativa entreposta entre estas; e uma camada de eletrodo transparente de ZnO disposta na segunda camada semicondutora tipo condutividade, em que a camada de eletrodo transparente de ZnO compreende uma camada semente de ZnO e uma camada volumosa de ZnO formada na camada semente de ZnO, em que a camada volumosa de ZnO é porosa em comparação com a camada semente de ZnO, em que uma interface entre a camada semente de ZnO e a segunda camada semicondutora tipo condutividade é mais plana do que uma interface entre a camada semente de ZnO e a camada volumosa de ZnO, e em que a interface entre a camada semente de ZnO e a camada volumosa de ZnO tem uma forma côncavo-convexa irregular.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#11.2
28/05/2024
RPI 2786
#6.23
09/01/2024
RPI 2766
#15.35
19/10/2021
RPI 2650
#1.3
12/05/2020
RPI 2575
#1.1
11/02/2020
RPI 2562
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