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Dado oficial do INPI

AMPLIFICADOR DE DETECÇÃO DE CORRENTE TRAVADA DIFERENCIAL DE CANCELAMENTO DE COMPENSAÇÃO DE TRANSISTOR DE MOS

ConcedidaPatente de InvençãoPCT · US2017052068

Dados do pedido

Número

112019005755

Tipo

Patente de Invenção

Depósito

18/09/2017

Publicação

11/06/2019

PCT

US2017052068

Andamento no INPI

  1. Depósito18/09/17
  2. Publicação11/06/19
  3. Exame
  4. Deferimento05/12/23
  5. Concessão06/02/24
  6. Em vigor18/09/37

Patente concedida em 06/02/2024 e em vigor até 18/09/2037. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.

Proteção válida até:18/09/2037

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Depositantes e inventores

Depositantes

INDUSTRY-ACADEMIC COOPERATION FOUNDATION, YONSEI UNIVERSITY

KR

QUALCOMM TECHNOLOGIES, INC.

US

Ver toda a carteira desta empresa

Inventores

B. S. (pessoa física)

KR

J. K. (pessoa física)

US

S. J. (pessoa física)

KR

S. K. (pessoa física)

US

T. N. (pessoa física)

KR

Dados técnicos

Classificação IPC

Prioridades unionistas

US

15/274,034 · 23/09/2016

Resumo técnico

São providos amplificadores de detecção (SAs) de corrente travada (CLSAs) de zona morta de detecção zero (ZS) de cancelamento de compensação (OC) (OCZS-SAs) de transistor de semicondutor de óxido metálico (MOS), para detecção de voltagens diferenciais. Um OCZS-SA é configurado para amplificar as voltagens diferenciais de entrada de dados e de referência, recebidas com uma voltagem de compensação de amplificador de detecção menor para fornecer margem de detecção maior entre estados de armazenamento diferentes de célula(s) de bits de memória. O OCZS-SA é configurado para cancelar as voltagens de compensação de transistores de entrada e de entrada de complemento, e manter os transistores de entrada e de entrada de complemento em seus estados ativados durante as fases de detecção, de modo que a detecção não seja realizada em suas zonas mortas quando sua voltagem de porta para fonte (Vgs) estiver abaixo de suas respectivas voltagens de limiar. Em outros aspectos, capacitores de amplificadores de detecção são configurados para armazenar diretamente as voltagens de entrada de dados e de referência nas portas de transistores de entrada e de entrada de complemento durante fases de captura de voltagem para evitar área de leiaute adicional que de outra forma seria consumida com circuitos de capacitor de detecção, adicionais.

Histórico de despachos

Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).

Concessão da patente

#16.1

Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 18/09/2017, observadas as condições legais

06/02/2024

RPI 2770

Deferimento

#9.1

05/12/2023

RPI 2761

Parecer de pré-exame

#6.23

20/06/2023

RPI 2737

Adição na publicação

#15.35

05/10/2021

RPI 2648

Notificação de entrada na fase nacional - PCT

#1.3

11/06/2019

RPI 2527

Alteração de dados cadastrais

#1.1

02/04/2019

RPI 2517

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