Petição de recurso
#12.2
Recurso: 870240001145 - 5/1/2024
16/01/2024
RPI 2767
Dados do pedido
Número
112019005093Tipo
Depósito
Publicação
PCT
US2017045966 O pedido está em fase de recurso: o INPI ainda vai rever a decisão.
Última movimentação publicada pelo INPI: 16/01/2024. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
Q. I. (pessoa física)
US
Inventores
C. Y. (pessoa física)
US
D. Y. (pessoa física)
US
J. X. (pessoa física)
US
K. R. (pessoa física)
US
S. S. (pessoa física)
US
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
15/271,043 · 20/09/2016
Resumo técnico
Um método de produzir um dispositivo FinFET com passo de aleta menor que 20 nm é apresentado. De acordo com algumas modalidades, aletas são depositadas em espaçadores de parede lateral, que eles próprios são depositados em mandris. Os mandris podem ser formados por processos litográficos enquanto as aletas e espaçadores de parede lateral formados por tecnologias de deposição.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#12.2
Recurso: 870240001145 - 5/1/2024
16/01/2024
RPI 2767
#9.2
05/12/2023
RPI 2761
#7.1
06/06/2023
RPI 2735
#6.23
12/07/2022
RPI 2688
#15.35
21/09/2021
RPI 2646
#1.3
04/06/2019
RPI 2526
#1.1
26/03/2019
RPI 2516
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