Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 08/08/2017, observadas as condições legais
04/04/2023
RPI 2726
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Dado oficial do INPI
DISPOSITIVO FINFET DO TIPO N E MÉTODO DE FABRICAR UM DISPOSITIVO FINFET DO TIPO N
ConcedidaPatente de InvençãoPCT · US2017045972
Dados do pedido
Número
112019004441Tipo
Patente de Invenção
Depósito
08/08/2017
Publicação
28/05/2019
PCT
US2017045972 Andamento no INPI
- Depósito08/08/17
- Publicação28/05/19
- Exame
- Deferimento03/01/23
- Concessão04/04/23
- Em vigor08/08/37
Patente concedida em 04/04/2023 e em vigor até 08/08/2037. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:08/08/2037
Última movimentação publicada pelo INPI: 04/04/2023. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes e inventores
Depositantes
Q. I. (pessoa física)
US
Inventores
S. E. (pessoa física)
US
U. R. (pessoa física)
US
Dados técnicos
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
15/264,519 · 13/09/2016
Resumo técnico
Crescimento epitaxial seletivo é usado para formar uma região de dreno/fonte heteroestruturada para preencher um recesso gravado em uma aleta de silício para um dispositivo FinFET tipo n.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Deferimento
#9.1
03/01/2023
RPI 2713
Parecer de pré-exame
#6.23
12/07/2022
RPI 2688
Adição na publicação
#15.35
21/09/2021
RPI 2646
Notificação de entrada na fase nacional - PCT
#1.3
28/05/2019
RPI 2525
Alteração de dados cadastrais
#1.1
26/03/2019
RPI 2516
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