Extinção para fins de restauração (art. 87)
#21.6
Referente à 9ª anuidade.
02/06/2026
RPI 2891
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Dado oficial do INPI
MÉTODO PARA FABRICAR UM DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO
Arquivada/ExtintaPatente de InvençãoPCT · EP2017067633
Dados do pedido
Número
112019001351Tipo
Patente de Invenção
Depósito
12/07/2017
Publicação
30/04/2019
PCT
EP2017067633 Andamento no INPI
- Depósito12/07/17
- Publicação30/04/19
- Exame
- Deferimento03/01/23
- Concessão18/04/23
- Extinto02/06/26
Patente concedida em 18/04/2023 e depois extinta em 02/06/2026. A proteção terminou antes do prazo e a tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 02/06/2026. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes e inventores
Depositantes
EXEGER OPERATIONS AB
SE
Inventores
G. F. (pessoa física)
SE
H. L. (pessoa física)
SE
Dados técnicos
Classificação IPC
Prioridades unionistas
SE
1651090-1 · 29/07/2016
SE
1651521-5 · 21/11/2016
Resumo técnico
A presente invenção se refere a um método para fabricação de um dispositivo fotovoltaico. Em concordância com a presente invenção, referido método compreende: - formação de uma primeira camada condutora porosa (16) sobre uma lateral de um substrato de isolamento poroso (20); - revestimento da primeira camada condutora com uma camada de grãos (2) de um material semicondutor dopado para formar uma estrutura; - desempenho de um primeiro tratamento de calor da estrutura para ligar os grãos para a primeira camada condutora; - formação de camadas eletricamente isolantes sobre superfícies da primeira camada condutora; - formação de uma segunda camada condutora (18) sobre uma lateral oposta do substrato de isolamento poroso (20); - aplicação de um material condutor de carga (3) em cima das superfícies dos grãos, no interior dos poros da primeira camada condutora, e no interior dos poros do substrato de isolamento; e: - conexão eletricamente do material condutor de carga para a segunda camada condutora.
Histórico de despachos
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 12/07/2017, observadas as condições legais
18/04/2023
RPI 2728
Deferimento
#9.1
03/01/2023
RPI 2713
Parecer de pré-exame
#6.23
12/07/2022
RPI 2688
Notificação de entrada na fase nacional - PCT
#1.3
30/04/2019
RPI 2521
Alteração de dados cadastrais
#1.1
05/02/2019
RPI 2509
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