Concessão da patente
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 05/06/2017, observadas as condições legais
06/08/2024
RPI 2796
Dados do pedido
Número
112018076404Tipo
Depósito
Publicação
PCT
US2017035934 Patente concedida em 06/08/2024 e em vigor até 05/06/2037. Até lá, ninguém pode fabricar, usar ou vender a invenção no Brasil sem autorização do titular.
Proteção válida até:05/06/2037
Última movimentação publicada pelo INPI: 06/08/2024. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
Q. I. (pessoa física)
US
Inventores
A. J. (pessoa física)
US
B. B. (pessoa física)
US
T. R. (pessoa física)
US
Classificação IPC
Prioridades unionistas
US
15/193,003 · 25/06/2016
Resumo técnico
Trata-se de sistemas e métodos relacionados às metodologias de posicionamento de célula para aprimorar o comprimento de difusão de transistores. Por exemplo, um primeiro transistor com um primeiro nó de difusão que é ligado por um primeiro corte de difusão é identificado em um layout de nível de transistor. O primeiro corte de difusão é substituído por uma primeira porta flutuante, e uma primeira célula de carga com uma primeira região de difusão de carga é adicionada para estender um comprimento de difusão do primeiro nó de difusão. Aumenta-se o comprimento de fios condutores de difusão para aprimorar a resistência de acionamento e desempenho do primeiro transistor.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#16.1
Prazo de Validade: 20 (vinte) anos contados a partir de 05/06/2017, observadas as condições legais
06/08/2024
RPI 2796
#9.1
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#7.1
09/01/2024
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#15.11
A Classificação Anterior era: G06F 17/50
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#6.23
31/01/2023
RPI 2717
#15.35
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