Arquivamento - Art. 36 §1° da LPI
#11.2
15/09/2020
RPI 2593
Dados do pedido
Número
112018001815Tipo
Depósito
Publicação
PCT
EP2016068350 Pedido arquivado: a exigência técnica do INPI não foi cumprida no prazo (art. 36 da LPI). A tecnologia está em domínio público no Brasil.
Falar com um especialistaÚltima movimentação publicada pelo INPI: 15/09/2020. Atualizamos a cada nova RPI, publicada semanalmente.
Depositantes
C. A. (pessoa física)
NO
NORWEGIAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY (NTNU)
NO
Inventores
B. F. (pessoa física)
NL
D. D. (pessoa física)
NO
D. R. (pessoa física)
NO
D. K. (pessoa física)
NO
H. W. (pessoa física)
CH
I. H. (pessoa física)
NO
M. M. (pessoa física)
NO
Classificação IPC
Prioridades unionistas
GB
1513567.6 · 31/07/2015
GB
1600162.0 · 05/01/2016
Resumo técnico
A presente invenção refere-se a um processo para cultivar nanofios ou nanopirâmides, que compreende: (I) fornecer um substrato grafítico e depositar AlGaN, InGaN, AlN ou AlGa(In)N no dito substrato grafítico a uma temperatura elevada para formar uma camada tampão ou ilhas de nucleação em nanoescala dos ditos compostos; (II) cultivar uma pluralidade de nanofios ou nanopirâmides do grupo III-V semicondutor, de preferência nanofios ou nanopirâmides de III-nitreto, sobre a dita camada tampão ou ilhas de nucleação no substrato grafítico, de preferência via MOVPE ou MBE.
Publicações na Revista da Propriedade Industrial (RPI).
#11.2
15/09/2020
RPI 2593
#6.21
26/05/2020
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#1.3
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